漏源電壓(Vdss) | 30V | 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)) | 30A(Tc) |
柵源極閾值電壓 | 2.2V @ 250uA | 漏源導(dǎo)通電阻 | 5mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 23W(Tc) | 類型 | N溝道 |
AON7544 是一款高性能的 N 溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對功耗、效率和散熱管理的嚴(yán)格要求。該器件提供了最大的靈活性和可靠性,能夠廣泛應(yīng)用于各類電力管理、開關(guān)電源、和其他需要高效能的電子系統(tǒng)中。
AON7544 的關(guān)鍵電氣特性使它在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色。首先,其漏源電壓(Vdss)高達(dá) 30V,使其能夠承受高電壓應(yīng)用,適用于汽車電子、工業(yè)控制以及高效電源轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其次,其連續(xù)漏極電流(Id)為 30A(在 25°C 時(shí)的條件下),在高負(fù)載情況下表現(xiàn)穩(wěn)定,這意味著它可以在多個(gè)應(yīng)用場合中穿插使用,而無需擔(dān)心因電流過大而導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
柵源閾值電壓:AON7544 的柵源極閾值電壓為 2.2V(在 250μA 下測得),這使得 MOSFET 可在較低電壓下被有效驅(qū)動,大大簡化了驅(qū)動電路的設(shè)計(jì),并提高了整體電路的系統(tǒng)效率。
導(dǎo)通電阻:其漏源導(dǎo)通電阻僅為 5mΩ(在20A,10V條件下),該參數(shù)對于高頻開關(guān)應(yīng)用而言至關(guān)重要,意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下功率損耗極低,有助于降低整機(jī)的熱量和提升系統(tǒng)的功率效率。
功率耗散:AON7544 的最大功耗(在 Ta=25°C 時(shí))為 23W,保證了在高度集成和緊湊設(shè)計(jì)情況下,元件能夠高效工作而不會過熱。這一特性對提高產(chǎn)品的可靠性尤為重要,同時(shí)也延長了設(shè)備的使用壽命。
AON7544 采用 DFN3x3-8L 的封裝形式,尺寸極為緊湊(3mm x 3mm),使其非常適合于空間有限的應(yīng)用場合。此外,該封裝允許高效的熱管理,使得器件在高電流工作時(shí)依然能夠保持良好的散熱性能。
該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于:
總之,AON7544 是一款具備高電流、低電阻和高功率處理能力的 N 溝道 MOSFET。它結(jié)合了先進(jìn)的材料技術(shù)與嚴(yán)格的制造工藝,不僅能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品對功耗和體積的雙重要求,同時(shí)也提供高效的熱管理和可靠性。無論是用于高效能電源管理系統(tǒng),還是對電流和熱量控制有嚴(yán)格要求的應(yīng)用,AON7544 都是一個(gè)極具競爭力的選擇。