安裝類型 | 表面貼裝型 | 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 3.5 歐姆 @ 200mA,10V |
技術 | MOSFET(金屬氧化物) | 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 280mA(Ta) | FET 類型 | N 通道 |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 43pF @ 25V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值) | 1.5nC @ 10V |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 26μA |
BSS138WH6327XTSA1 產品概述
一、概述
BSS138WH6327XTSA1 是由英飛凌(Infineon)公司制造的一款高效能 N 通道MOSFET,專為面向各種電子應用而設計的。該元器件封裝為 SOT-323,是一種表面貼裝型產品,提供了優異的性能和可靠性。憑借其出色的導通電阻、良好的電流承載能力和寬工作溫度范圍,BSS138WH6327XTSA1 廣泛應用于低電壓和低功耗的電路設計。
二、技術規格
安裝類型和封裝
導通電阻(Rds On)
電流與電壓參數
輸入電容與柵極電荷
閾值電壓(Vgs(th))
工作溫度和功率耗散
三、應用場景
BSS138WH6327XTSA1廣泛應用于消費電子、電源管理、電機驅動、自動化控制等領域。其特點決定了它可以有效用于:
開關電路:適用于低電壓開關電路,能夠高效地控制負載開關狀態。
電源管理:在電源轉換電路中,該 MOSFET 可用于實現高效的電源調節與轉換,最大限度地減少能量損耗。
信號開關:適用于數據信號的開關控制,能夠快速響應變化,提升信號處理速度。
智能家居和物聯網設備:由于其低功耗和高密度特性,適合用于各種智能設備,支持高效的集成設計。
四、總結
BSS138WH6327XTSA1 是一款可靠的 N 通道 MOSFET,憑借其優越的電氣性能和廣泛的應用潛能,非常適合現代電子電路設計。通過集成高效的開關特性和緊湊的封裝設計,BSS138WH6327XTSA1 不僅滿足了電子工程師對節能和空間利用的要求,也為各種應用提供了應用靈活性和互操作性。在追求高效和微型化的電子設計時代,該產品無疑是一個理想的選擇。