IRLML0030TRPBF
IRLML0030TRPBF參數
| 漏源電壓（Vdss） | 30V | 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 5.3A |
| 柵源極閾值電壓 | 2.3V @ 25uA | 漏源導通電阻 | 27mΩ @ 5.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 類型 | N溝道 |
| FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 5.3A（Ta） | 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 27 毫歐 @ 5.2A，10V | 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25μA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 2.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 382pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 | 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML0030TRPBF手冊
IRLML0030TRPBF概述
產品概述：IRLML0030TRPBF N溝道MOSFET
一、產品簡介
IRLML0030TRPBF是由英飛凌（Infineon）推出的一款高性能N溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），其設計用于各種開關和放大應用。這款MOSFET具有出色的電氣特性，適用于低電壓、高電流的場合，廣泛應用于電子設備、電源管理以及電機驅動系統等領域。
二、主要參數
漏源電壓（Vdss）：30V
IRLML0030TRPBF能夠承受高達30V的漏極到源極電壓，適合低壓應用環境，提供了靈活的選擇空間。連續漏極電流（Id）：5.3A（25°C）
在標準工作溫度下，IRLML0030TRPBF可承載高達5.3A的持續漏極電流，確保在負載條件下提供穩定的性能。柵源極閾值電壓（Vgs(th)）：2.3V @ 25μA
顆粒的柵極開關特性在2.3V閾值電壓下表現良好，使其能夠在較低電壓下快速開啟，便于與微控制器等低壓驅動組件集成。導通電阻（Rds(on)）：27mΩ @ 5.2A, 10V
卓越的導通電阻確保MOSFET在開關狀態下的功耗降低，提高系統能效。最大功率耗散：1.3W（Ta=25°C）
在25°C環境溫度下，IRLML0030TRPBF能夠安全地耗散最多1.3W的功率，適合高效的電源設計。工作溫度范圍：-55°C ~ 150°C（TJ）
該MOSFET具有廣泛的工作溫度范圍，適合嚴酷工況下的應用。封裝：SOT-23（Micro3）
IRLML0030TRPBF采用小型SOT-23封裝，表面貼裝設計使得其在空間有限的電路中輕松集成。
三、性能優勢
高效能：低導通電阻和高電流能力，使得IRLML0030TRPBF在高效開關和功率放大應用中表現出色，極大地降低了能量損耗。
良好的熱管理特性：MOSFET的功率耗散特性使其在持續運行中能保持較低的熱量產生，提升了系統的整體可靠性。
多種應用兼容：廣泛的工作溫度范圍和較高的電壓、電流能力，使得IRLML0030TRPBF適用于各種電子設備，如電源管理、LED驅動、電機控制等。
快速開關性能：低柵極電荷（Qg = 2.6nC @ 4.5V）提供快速的開關響應，使其適合于高頻應用。
四、應用場景
電源供應：在開關電源（SMPS）中，IRLML0030TRPBF可以作為開關元件，負責高效率的能量轉換。
LED驅動：在LED驅動電路中，這款MOSFET可用于控制電流流向，達到高效亮化效果。
電機控制：可用于低壓直流電機的控制和驅動，提高電機響應速度及能效。
消費電子：在各類消費電子產品（如平板電腦及手機）中，用于電源管理與信號切換，實現更為高效的電源利用率。
五、總結
IRLML0030TRPBF N溝道MOSFET是您在低電壓、高電流開關應用中理想的選擇。憑借其出色的電氣性能、可靠性和多種應用潛力，該MOSFET適用于現代電子設計中的各種需求。英飛凌的先進技術和高品質標準確保了該元件在提升整體系統效率和可靠性方面的能力，幫助設計師在其項目中達到最佳表現。