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IS62WV51216BLL-55TLI 產品實物圖片
IS62WV51216BLL-55TLI 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

IS62WV51216BLL-55TLI

商品編碼: BM0000281222
品牌?:?
ISSI(美國芯成)
封裝?:?
TSOP-44-10.2mm
包裝?:?
托盤
重量?:?
1.378g
描述?:?
ISSI,IS62WV51216BLL-55TLI SRAM 8Mb 3V
庫存 :
1(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
20.52
按整 :
托盤(1托盤有135個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥20.52
--
10+
¥20.33
--
2700+
產品參數
產品手冊
產品概述

IS62WV51216BLL-55TLI參數

存儲器類型易失存儲器格式SRAM
技術SRAM - 異步存儲容量8Mb (512K x 16)
存儲器接口并聯寫周期時間 - 字,頁55ns
訪問時間55ns電壓 - 供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)供應商器件封裝44-TSOP II

IS62WV51216BLL-55TLI手冊

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無數據

IS62WV51216BLL-55TLI概述

產品概述:IS62WV51216BLL-55TLI SRAM

一、產品簡介

IS62WV51216BLL-55TLI是一款由ISSI(美國芯成)公司推出的高性能靜態隨機存取存儲器(SRAM)。該存儲器具有8Mb(512K x 16)的存儲容量,適合多種高速數據緩存和存儲應用。憑借其高效率和穩定性,IS62WV51216BLL-55TLI成為嵌入式系統、消費電子、工業控制和網絡設備等領域的理想選擇。

二、關鍵特性

  1. 高存儲容量:IS62WV51216BLL-55TLI具有8Mb的存儲容量,能夠滿足高數據傳輸需求的應用場景。
  2. 高速操作:該SRAM的訪問時間為55ns,寫周期時間同樣為55ns,允許快速讀寫數據,理想用于對速度要求嚴格的應用。
  3. 電壓范圍廣:工作電壓范圍為2.5V至3.6V,使其能夠與多種電源系統兼容,并確保高能效。
  4. 廣泛的工作溫度范圍:工作溫度范圍為-40°C至85°C,確保在各種苛刻環境下的穩定性和可靠性。
  5. 表面貼裝封裝:采用44-TSOP II封裝,具有小巧的體積和方便的安裝方式,適合現代電子設備的小型化需求。

三、技術規格

  • 存儲器類型:易失性存儲器
  • 存儲器格式:異步SRAM
  • 存儲容量:8Mb(512K x 16)
  • 存儲器接口:并聯
  • 寫周期時間:55ns
  • 訪問時間:55ns
  • 供電電壓:2.5V ~ 3.6V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C
  • 封裝類型:表面貼裝型
  • 封裝外殼:44-TSOP(0.400",10.16mm寬)

四、應用領域

IS62WV51216BLL-55TLI SRAM非常適合多種應用領域,包括:

  1. 嵌入式系統:為微控制器和數字信號處理器(DSP)提供高性能的緩存存儲。
  2. 消費電子:廣泛應用于數碼相機、智能手機、平板電腦等設備中的高速數據存儲。
  3. 工業控制:在自動化設備和工業控制器中用于存儲配置和臨時數據,提高處理速度和響應時間。
  4. 網絡設備:在交換機、路由器等網絡設備中作為緩存,提高數據傳輸效率和設備性能。

五、總結

IS62WV51216BLL-55TLI是一款高性能、低功耗的SRAM存儲器,它結合了大容量、高速性能和廣泛的工作電壓及溫度范圍,極大地適應了現代電子設備發展的需求。憑借其卓越的技術規格和可靠的性能,IS62WV51216BLL-55TLI成為各類數據密集型應用的理想選擇。如果您正在尋找一種出色的SRAM解決方案,IS62WV51216BLL-55TLI無疑是一個值得考慮的優質產品。