IRLML6401TRPBF
品牌?:?
Infineon(英飛凌)
封裝?:?
SOT-23(Micro3)
包裝?:?
編帶
重量?:?
0.035g
描述?:?
場效應管(MOSFET) 1.3W 12V 4.3A 1個P溝道 SOT-23
庫存 :
116042(起訂量1,增量1)
批次 :
2年內數量 :
X
0.625按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
￥0梯度
內地(含稅)
香港
1+
￥0.625
--
200+
￥0.403
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1500+
￥0.35
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3000+
￥0.31
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45000+
產品參數
產品手冊
產品概述
IRLML6401TRPBF參數
| 漏源電壓（Vdss） | 12V | 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 4.3A |
| 柵源極閾值電壓 | 950mV @ 250uA | 漏源導通電阻 | 50mΩ @ 4.3A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 類型 | P溝道 |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 4.3A（Ta） | 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 830pF @ 10V | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250μA | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 15nC @ 5V |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 50 毫歐 @ 4.3A，4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | FET 類型 | P 通道 |
| 供應商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 | 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML6401TRPBF手冊
IRLML6401TRPBF概述
產品概述：IRLML6401TRPBF
一、產品簡介
IRLML6401TRPBF是由英飛凌（Infineon）公司制造的一款高性能P溝道MOSFET，適用于多種電子設計應用。這款元器件以其出色的性能和穩定的工作溫度范圍，成為低功耗應用中實現高效電流控制的重要選擇。在其SOT-23（Micro3）封裝中，IRLML6401TRPBF集成多項優勢參數，使其在小型電子設備、電源管理和信號開關等領域得到廣泛應用。
二、基礎參數
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 連續漏極電流（Id）：4.3A（在25°C時）
- 柵源極閾值電壓（Vgs(th)）：950mV @ 250μA
- 漏源導通電阻（Rds(On)）：50mΩ @ 4.3A, 4.5V
- 功率耗散：最大1.3W（在25°C時）
- 工作溫度范圍：-55°C ~ 150°C
- 封裝類型：SOT-23/Micro3
三、電氣特性
IRLML6401TRPBF的關鍵電氣特性使其能夠在寬廣的負載條件下高效工作。其漏源電壓最高可達12V，而連續漏極電流為4.3A，這使MOSFET能夠處理一般小型電流應用。此外，950mV的柵源閾值電壓和50mΩ的導通電阻可以為系統設計提供較高的效率，降低能量損耗，適合低電壓和高頻率的操作環境。
四、驅動電壓
產品在不同的驅動電壓下展現出優秀的性能特點：
- 最小Rds(On)驅動電壓：1.8V
- 最大Rds(On)驅動電壓：4.5V
這樣的電壓范圍使得IRLML6401TRPBF在邏輯電平驅動應用中極具靈活性，能夠滿足各種輸入條件下的性能需求，尤其適合電池供電的便攜設備。
五、性能優勢
- 快速開關特性：在高頻應用中，IRLML6401TRPBF的柵極電荷（Qg）僅為15nC @ 5V，優化了開關速度，從而提高了效率。
- 低導通損耗：相對較低的導通電阻（Rds(On)）帶來了極低的導通損耗，使得在高電流下仍能保持較低的溫升。
- 寬溫度范圍：其工作溫度范圍為-55°C至150°C，確保了這款MOSFET在各種苛刻環境下均能穩定運行。
六、應用領域
IRLML6401TRPBF的廣泛應用包括：
- 電源管理：可用于DC-DC轉換器、負載開關和電池管理系統中，以實現高效的能量轉換和管理。
- 信號開關：在音頻和視頻信號處理線路中作為開關，能夠提供快速的信號切換。
- 汽車電子：在汽車內部的低壓DC應用中，面對各種傳感器和控制器，MOSFET能夠提供優良的電流控制。
七、總結
作為一款高效的P溝道MOSFET，IRLML6401TRPBF以其優良的電氣特性、寬廣的應用范圍和可靠性，為設計者提供了極大的便利。憑借其極低的導通電阻和高溫工作能力，它是真正的電子設計中不可或缺的一部分，尤其是需要高效能及緊湊空間布局的現代電子設備中。英飛凌通過IRLML6401TRPBF展現出其在小型化功率半導體方面的設計能力，使其成為市場上競爭力強的產品。