FET 類型 | P 通道 | 技術 | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 30V | 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 3.6A(Ta) |
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 64 毫歐 @ 3.6A,10V |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 10μA | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值) | 4.8nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 388pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 供應商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
IRLML9301TRPBF 是一款高性能的 P 型 MOSFET,采用表面貼裝型封裝(SOT-23/Micro3),由知名電子元件制造商 Infineon(英飛凌)生產。這款器件在電子電路中表現出卓越的優勢,適用于多種應用場景,特別是在低電壓、高開關頻率的環境中。其額定漏源電壓為 30V,連續漏極電流為 3.6A,非常適合用于功率管理、開關電源、馬達驅動和其他數字電路中。
IRLML9301TRPBF 采用 SOT-23(TO-236-3,SC-59)封裝,其緊湊的尺寸使其適合于面積受限的應用,同時有效降低了電路布局所需的空間。SOT-23 封裝還具備良好的散熱性能,使得該器件在高功率密度和高可靠性的要求下仍能穩定運行。
IRLML9301TRPBF 適用的應用領域包括但不限于:
綜上所述,IRLML9301TRPBF 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET,適用于廣泛的電源管理和控制應用。其優越的電氣特性、良好的散熱性能和緊湊的封裝設計,使其在現代電子產品中具有很高的適用性和價值。無論是設計還是應用,IRLML9301TRPBF 都為工程師和設計人員提供了一種有效的解決方案,以滿足不斷變化的市場需求。