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BSS123NH6327XTSA1 產品實物圖片
BSS123NH6327XTSA1 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格數據手冊

BSS123NH6327XTSA1

商品編碼: BM0000281762
品牌?:?
Infineon(英飛凌)
封裝?:?
SOT-23-3
包裝?:?
編帶
重量?:?
0.017g
描述?:?
場效應管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1個N溝道 TO-236-3
庫存 :
95122(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
0.564
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.564
--
200+
¥0.364
--
1500+
¥0.316
--
45000+
產品參數
產品手冊
產品概述

BSS123NH6327XTSA1參數

安裝類型表面貼裝型不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)6 歐姆 @ 190mA,10V
技術MOSFET(金屬氧化物)驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)190mA(Ta)FET 類型N 通道
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)20.9pF @ 25VVgs(最大值)±20V
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值).9nC @ 10V
漏源電壓(Vdss)100V功率耗散(最大值)500mW(Ta)
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 13μA

BSS123NH6327XTSA1手冊

BSS123NH6327XTSA1概述

BSS123NH6327XTSA1 產品概述

產品概述

BSS123NH6327XTSA1是一款高性能的N溝道MOSFET,具有廣泛的應用范圍,適合用于各種電子電路中的開關和放大功能。它采用了表面貼裝類型的封裝形式SOT-23-3,能夠輕松地集成到緊湊的電路設計中。該MOSFET的主要參數表現出其優越的電氣特性,非常適合低電流和中等電壓的應用。

電氣特性

  1. 漏極電流與電阻

    • BSS123NH6327XTSA1的連續漏極電流(Id)可達190mA,適合驅動小型負載。其導通電阻(Rds On)在不同的驅動電壓下表現良好,最大值為6歐姆(@ 190mA,10V),保證了器件在導通時的低功耗特性。
  2. 驅動電壓和閾值電壓

    • 此MOSFET的最高柵源電壓(Vgs)為±20V,能夠適應各種控制信號的需求。其閾值電壓(Vgs(th))最大值為1.8V(@ 13μA),確保能夠在較低的柵極驅動電壓下開啟,適合于邏輯電平驅動電路。
  3. 輸入電容與柵極電荷

    • 當漏源電壓(Vds)為25V時,其輸入電容(Ciss)最大可達20.9pF,表明具有良好的頻響特性,適合高頻開關應用。此外,柵極電荷(Qg)最大值為0.9nC(@ 10V),有助于降低驅動電路的功耗。
  4. 散熱與功率處理能力

    • BSS123NH6327XTSA1的功率耗散最大可達500mW(在25°C環境溫度下),對應于該器件的工作溫度范圍為-55°C至150°C(TJ),使其能夠在惡劣環境下穩定工作。

應用場景

BSS123NH6327XTSA1因其優越的性能特征,廣泛應用于多個領域,包括但不限于:

  • 開關電源:廣泛應用于DC-DC轉換器和電池管理系統中,實現高效的電源開關控制。
  • LED驅動:在LED照明和顯示設備中,用作開關元件,以實現精確的亮度調節和功率管理。
  • 信號處理:用于信號放大和調制解調器電路中,提高信號處理的靈敏度和穩定性。
  • 自動化設備:在各種嵌入式系統中,作為邏輯開關,控制繼電器、馬達或其他負載。

封裝與品牌

BSS123NH6327XTSA1采用的SOT-23-3封裝,使其在PCB布局上更具靈活性,并且適合高密度電子組件的設計。此外,產品由著名的半導體制造商Infineon(英飛凌)生產,憑借其在行業內的良好聲譽和品質保障,使得該產品在可靠性和性能方面都能夠滿足高標準的要求。

結論

綜上所述,BSS123NH6327XTSA1是一款性能卓越、應用廣泛的N溝道MOSFET,適合各種低到中等功率的電子應用。其優良的電氣特性和穩定的工作性能使其成為設計工程師在進行電源管理、信號處理及開關控制時的理想選擇。產品的高可靠性和靈活的封裝設計進一步增強了其市場競爭力。