色噜噜噜色噜噜噜色琪琪_韩日三级免费电影_2018夜夜干天天天爽_亚洲色欲色欲综合网站_18女下面流水不遮图免费图_亚洲一区二区三区日韩欧美

圣禾堂在線(xiàn)
IRLML5203TRPBF 產(chǎn)品實(shí)物圖片
IRLML5203TRPBF 產(chǎn)品實(shí)物圖片
商品圖片1
商品圖片2
商品圖片3
注:圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格數(shù)據(jù)手冊(cè)

IRLML5203TRPBF

商品編碼: BM0000282807
品牌?:?
Infineon(英飛凌)
封裝?:?
SOT-23(Micro3)
包裝?:?
編帶
重量?:?
0.035g
描述?:?
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 1.25W 30V 3A 1個(gè)P溝道 SOT-23
庫(kù)存 :
36841(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數(shù)量 :
X
0.664
按整 :
圓盤(pán)(1圓盤(pán)有3000個(gè))
合計(jì) :
¥0
梯度
內(nèi)地(含稅)
香港
1+
¥0.664
--
200+
¥0.428
--
1500+
¥0.373
--
3000+
¥0.33
--
45000+
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品手冊(cè)
產(chǎn)品概述

IRLML5203TRPBF參數(shù)

漏源電壓(Vdss)30V連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))3A
柵源極閾值電壓2.5V @ 250uA漏源導(dǎo)通電阻98mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W類(lèi)型P溝道
FET 類(lèi)型P 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3A(Ta)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)98 毫歐 @ 3A,10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)14nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)510pF @ 25V功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類(lèi)型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝Micro3?/SOT-23封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

IRLML5203TRPBF手冊(cè)

IRLML5203TRPBF概述

IRLML5203TRPBF 產(chǎn)品概述

IRLML5203TRPBF 是一款高性能的 P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),由知名品牌英飛凌(Infineon)生產(chǎn)。該器件采用緊湊型 SOT-23(Micro3)封裝,專(zhuān)為低功率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有出色的電氣性能和熱特性,適合多種電子設(shè)計(jì)方案。無(wú)論在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子,還是在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中,IRLML5203TRPBF 都可以提供可靠的高效能。

主要特性

  • 漏源電壓: IRLML5203TRPBF 的最大漏源電壓(Vdss)為 30V,這一特性使其能夠在許多電壓敏感的應(yīng)用中使用,充足的余量有助于提升系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
  • 連續(xù)漏極電流: 器件在 25°C 下的連續(xù)漏極電流(Id)可達(dá)到 3A,相較于同類(lèi)產(chǎn)品,其電流承載能力表現(xiàn)出色,適用于需要高電流負(fù)載的電路。
  • 柵源極閾值電壓: 該 MOSFET 在 250μA 的條件下,柵源極閾值電壓為 2.5V,符合低電壓驅(qū)動(dòng)要求,能夠在較低電壓下迅速開(kāi)啟,減少啟動(dòng)延遲。
  • 漏源導(dǎo)通電阻: 在 3A 和 10V 的工作狀態(tài)下,漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on))為 98mΩ,表明該器件的功率損耗極低,提升了系統(tǒng)的能效比,在長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)可顯著降低發(fā)熱量。
  • 輸入電容: 在 25V 的工作條件下,輸入電容(Ciss)為 510pF,該低輸入電容的特性可以提高開(kāi)關(guān)速度,減少開(kāi)關(guān)損耗,對(duì)高頻應(yīng)用尤為重要。
  • 柵極電荷: 在 10V 的驅(qū)動(dòng)下,柵極電荷(Qg)最大值為 14nC,提供了良好的驅(qū)動(dòng)特性,有助于快速切換,提高系統(tǒng)響應(yīng)速度。

熱特性和工作環(huán)境

IRLML5203TRPBF 的最大功率耗散為 1.25W,允許其在較高功率條件下運(yùn)行,同時(shí)該器件的工作溫度范圍為 -55°C 到 150°C,使其在惡劣環(huán)境下具備良好的適應(yīng)性。無(wú)論是在嚴(yán)寒或高溫的條件下,這款 MOSFET 均能穩(wěn)定工作,確保電子產(chǎn)品的可靠性,適用于汽車(chē)、工業(yè)控制等高度要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用領(lǐng)域

IRLML5203TRPBF 可以廣泛應(yīng)用于:

  1. 電源管理: 適用于適配器、開(kāi)關(guān)電源等需要電壓轉(zhuǎn)換及電流調(diào)節(jié)的系統(tǒng)。
  2. 低功耗設(shè)備: 由于其低 Rds(on) 和高頻響應(yīng),適合用于便攜式電子設(shè)備、智能手機(jī)等產(chǎn)品。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng): 適合用于電動(dòng)機(jī)控制,尤其是小型電機(jī)驅(qū)動(dòng),可以提供較高的效率和響應(yīng)速度。
  4. 電池管理系統(tǒng): 由于其優(yōu)秀的導(dǎo)通特性,廣泛應(yīng)用于電池供電的設(shè)備中,優(yōu)化功率消耗。

總結(jié)

總體而言,IRLML5203TRPBF 是一款優(yōu)質(zhì)的 P溝道 MOSFET,具有卓越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用前景。其設(shè)計(jì)理念充分考慮了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率、低功耗和小型化的需求,能夠滿(mǎn)足今天市場(chǎng)上對(duì)功能性和可靠性的綜合要求。無(wú)論是在新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)還是在現(xiàn)有產(chǎn)品的升級(jí)中,選擇 IRLML5203TRPBF 都能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)提供強(qiáng)大的支持與保障。