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SVF7N65F 產品實物圖片
SVF7N65F 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

SVF7N65F

商品編碼: BM0000284582
品牌?:?
SILAN(士蘭微)
封裝?:?
TO-220F 塑封
包裝?:?
管裝
重量?:?
3g
描述?:?
-
庫存 :
0(起訂量1,增量1)
批次 :
-
數量 :
X
1.89
按整 :
管(1管有1000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥1.89
--
50+
¥1.45
--
1000+
¥1.21
--
20000+
產品參數
產品手冊
產品概述

SVF7N65F參數

漏源電壓(Vdss)650V連續漏極電流(Id)(25°C 時)7A
柵源極閾值電壓4V @ 250uA漏源導通電阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)46W類型N溝道

SVF7N65F手冊

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無數據

SVF7N65F概述

SVF7N65F 產品概述

一、基本信息

SVF7N65F 是由士蘭微(SILAN)公司生產的一款 N 溝道功率MOSFET,具有優異的電氣性能和熱穩定性,其主要規格如下:

  • 漏源電壓(Vdss): 650V
  • 連續漏極電流(Id): 7A(25°C時)
  • 柵源極閾值電壓: 4V @ 250μA
  • 漏源導通電阻: 1.4Ω @ 3.5A, 10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 46W
  • 封裝類型: TO-220F 塑封

二、產品特點

  1. 高電壓承受能力: SVF7N65F 具有高達 650V 的漏源電壓,可適用于高電壓環境,有效保證電路的穩定性。

  2. 良好的導通性能: 漏源導通電阻為 1.4Ω,這意味著在正常工作條件下,該器件能夠有效降低導通損耗,提高系統的能源效率。

  3. 適用于高溫環境: 最大功率耗散為 46W,確保在高負載情況下仍能維持良好的工作性能,同時有助于提升系統的可靠性。

  4. 靈活的操作范圍: 柵源極閾值電壓為 4V,使得其能夠在相對較低的柵極驅動電壓下實現高效開關操作,降低了復雜驅動電路的需求。

  5. 封裝優勢: TO-220F 塑封封裝設計,便于散熱,并能夠較好地適應電路板設計,確保更好的安裝和散熱性能。

三、應用領域

SVF7N65F 作為一款高性能N溝道功率MOSFET,廣泛應用于多個領域,包括但不限于:

  1. 電源管理: 適用于開關電源、DC-DC變換器等電源管理設備,提供穩定的電壓和高效的能量轉換。

  2. 電動機驅動: 適合在電機控制和驅動系統中使用,能夠應對較高的電流和電壓需求,實現高效的電機控制。

  3. 照明控制: 在LED驅動電路中,能夠以高頻率快速開關,優化燈光的控制和亮度調節。

  4. 工控及自動化: 在各種工業自動化設備中,提供可靠的開關和控制功能,支持控制系統的高效運行。

  5. 汽車電子應用: 可用于汽車電源管理系統,提供高效的電能控制和管理,符合現代汽車對電子設備高效能及耐用性的需求。

四、總結

SVF7N65F 是一款功能強大、應用廣泛的N溝道功率MOSFET,憑借其優異的電氣特點和可靠的性能,適合于多種高電壓和大電流的應用場合。隨著技術的發展及對能源效率的愈發重視,該產品將為相關領域提供更多可能。通過合理的應用和設計,SVF7N65F能夠在實際電路中發揮其最佳性能,推動電子設備向更加高效、可靠的方向發展。