MMBT3906LT1G
MMBT3906LT1G參數(shù)
| 額定功率 | 300mW | 集電極電流Ic | 200mA |
| 集射極擊穿電壓Vce | 40V | 晶體管類型 | PNP |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 200mA | 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 40V |
| 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA | 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 頻率 - 躍遷 | 250MHz |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBT3906LT1G手冊
MMBT3906LT1G概述
MMBT3906LT1G 產(chǎn)品概述
產(chǎn)品基本信息
MMBT3906LT1G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生產(chǎn)的PNP型雙極晶體管（BJT），專為低功耗、高頻率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用 SOT-23-3（TO-236）封裝，適合表面貼裝（SMD），在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用。
關(guān)鍵規(guī)格
這款晶體管的額定功率為300mW，最大集電極電流為200mA，集射極擊穿電壓（Vce）為40V。其在不同的集電極電流（Ic）和基極電流（Ib）條件下，具有最大飽和壓降為400mV @ 5mA和50mA，確保在工作時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)較低的功耗和良好的效率。同時(shí)，該產(chǎn)品具備最低的直流電流增益（hFE）為100，測試條件為10mA集電極電流和1V電壓，這意味著在常規(guī)工作情況下能有效放大輸入信號。
工作溫度范圍
MMBT3906LT1G 的工作溫度范圍為-55°C到150°C，這使得它適合在各類嚴(yán)苛環(huán)境下運(yùn)行，尤其適用航空航天、汽車及工業(yè)控制等領(lǐng)域。這種寬廣的溫度范圍確保了該器件在極端條件下的可靠性與持久性。
高頻性能
該器件的頻率躍遷（Transition Frequency）達(dá)到 250MHz，表明它適合用于各種高頻應(yīng)用，包括射頻放大器和信號處理電路，從而滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對處理速度的高要求。
封裝與安裝
MMBT3906LT1G采用緊湊的SOT-23-3（TO-236）封裝，使其在電路設(shè)計(jì)中具有較高的空間效率。該表面貼裝型設(shè)計(jì)能夠使得在電路板上的安裝更加便捷，有效減少了組裝時(shí)間與成本，同時(shí)提高了整體電路設(shè)計(jì)的可密度。
應(yīng)用領(lǐng)域
由于其出色的性能，MMBT3906LT1G 可以廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括：
- 音頻放大器：適用于音頻放大及信號處理，提供優(yōu)質(zhì)音頻輸出。
- 開關(guān)電路：可以用于低功耗開關(guān)應(yīng)用，提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。
- 放大器電路：可廣泛應(yīng)用在信號放大及處理電路中，確保信號的質(zhì)量和穩(wěn)定性。
- 射頻應(yīng)用：由于其高頻特性，適合射頻信號放大及相關(guān)應(yīng)用。
產(chǎn)品優(yōu)勢
- 高性能：結(jié)合了高電流增益和低飽和電壓特點(diǎn)，為各種應(yīng)用提供更高的效率。
- 廣泛的溫度適應(yīng)性：保證在各種極端溫度下均可工作，增加了可靠性。
- 緊湊的封裝：提升了產(chǎn)品的兼容性和密度，適合現(xiàn)代電子設(shè)備中空間的追求。
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)與應(yīng)用中，高效、可靠的元器件是確保整個(gè)系統(tǒng)穩(wěn)定性的重要因素。MMBT3906LT1G憑借其卓越的性能和靈活的應(yīng)用場景，成為諸多電子設(shè)計(jì)師和工程師的首選。隨著科技的不斷進(jìn)步，對于這種高性能、低功耗器件的需求將持續(xù)增長，MMBT3906LT1G能夠滿足市場的多元化需求，并在未來的設(shè)計(jì)中發(fā)揮更大的作用。