XP152A12C0MR
XP152A12C0MR參數
| 漏源電壓（Vdss） | 20V | 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 700mA |
| 漏源導通電阻 | 300mΩ @ 400mA,4.5V | 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW |
| 類型 | P溝道 | FET 類型 | P 通道 |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 700mA（Ta） |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 300 毫歐 @ 400mA，4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作溫度 | 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | 供應商器件封裝 | SOT-23 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
XP152A12C0MR手冊
XP152A12C0MR概述
XP152A12C0MR 產品概述
一、基本介紹
XP152A12C0MR 是由 TOREX（特瑞仕）公司制造的 P 通道 MOSFET（場效應管），采用 SOT-23 封裝，專為低功耗電子電路設計。該產品具有優秀的電氣特性，適用于高效能的驅動和開關應用，特別是在要求高效率和低導通損耗的場合。
二、主要參數特性
漏源電壓（Vdss）: XP152A12C0MR 的漏源電壓為 20V，使其能夠在多種應用場合中有效地處理電壓，同時提供一定的設計靈活性。
連續漏極電流（Id）: 在 25°C 的環境溫度下，該 MOSFET 的每個通道可持續工作承載高達 700mA 的電流，可以滿足大多數中小功率電路的需求。
導通電阻（Rds(on)）和驅動電壓: 在 400mA、4.5V 的條件下，導通電阻最大為 300mΩ，這確保了在正常工作狀態下的能量損耗最小化。同時，在 2.5V 和 4.5V 下，MOSFET 可以有效地被驅動，這對低電壓驅動電路提供了便利。
輸入電容（Ciss）: 針對 10V 的工作條件，該器件的輸入電容最大為 180pF，這在高頻應用中提供了良好的迅速響應特性。
最大功率耗散: 在環境溫度 25°C 下，XP152A12C0MR 的最大功率耗散為 500mW，確保了在不超過規格限制的情況下保持穩定工作。
工作溫度范圍: 該 MOSFET 的工作溫度最高可達 150°C，使其可以在較惡劣的環境條件下保持良好的性能。
三、應用領域
XP152A12C0MR MOSFET 適用于各類電子產品和應用場合，包括但不限于：
- 電源管理: 高效開關電源、降壓轉換器及功率調節電路。
- 驅動電路: 用于驅動馬達、繼電器和其他負載的控制電路。
- 電池管理系統: 在各類便攜式電子設備中，提供電源的開關控制。
- LED 驅動: 在 LED 照明和顯示器中應用，提供低功耗、高效率的驅動。
- 汽車電子: 可用于車輛的功率開關、控制模塊和各種傳感器驅動電路。
四、封裝和安裝
XP152A12C0MR 采用 SOT-23（TO-236-3，SC-59）封裝，這是表面貼裝型設計，具有較小的體積，便于在有限空間內安裝，同時能夠提高PCB的布線密度，適應現代電子產品的小型化趨勢。
五、總結
XP152A12C0MR 是一種高性能的 P 通道 MOSFET，憑借其較高的電壓和電流處理能力，以及低導通電阻和小體積封裝，可以廣泛應用于各類電子設備中。其良好的熱管理能力和高工作溫度特性為其在高功率應用場景中的應用奠定了基礎，并增強了產品的適用性和穩定性。
通過使用 XP152A12C0MR，設計工程師能夠實現高效的功率控制與轉換，提高系統整體的設計效率，滿足市場對高性能設備的日益增長的需求。