額定功率 | 250mW | 集電極電流Ic | 100mA |
集射極擊穿電壓Vce | 50V | 晶體管類型 | NPN - 預(yù)偏壓 |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA | 電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 50V |
電阻器 - 基極 (R1) | 10 kOhms | 電阻器 - 發(fā)射極 (R2) | 10 kOhms |
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值) | 150mV @ 500μA,10mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 1μA | 頻率 - 躍遷 | 230MHz |
功率 - 最大值 | 250mW | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供應(yīng)商器件封裝 | TO-236AB |
PDTC114ET,215 是由安世(Nexperia)推出的一款高性能NPN數(shù)字晶體管,廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。這款晶體管采用SOT-23-3的表面貼裝封裝形式,提供了出色的電氣性能和低功耗特性,適合應(yīng)用于開關(guān)電路、放大電路、信號處理等多種場合。
PDTC114ET,215晶體管采用SOT-23封裝,具有良好的散熱性能和較小的體積。這種表面貼裝型(SMD)設(shè)計使得晶體管在空間有限的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠輕松集成到各種緊湊型電子設(shè)備中。此外,TO-236AB供應(yīng)商器件封裝提供了更加靈活的應(yīng)用選擇,便于在 PCB 設(shè)計中進行布局。
PDTC114ET,215 的多種電子性能使其適用于多種應(yīng)用場景:
信號放大:由于其較高的DC電流增益,PDTC114ET,215 可以用于音頻放大器或者低功耗無線通信設(shè)備中,能夠有效地處理信號。
開關(guān)電路:得益于其良好的飽和壓降表現(xiàn),這款晶體管在開關(guān)電源、電動機驅(qū)動及其他需要快速開關(guān)的電路中具備優(yōu)越的性能。
數(shù)字電路:由于具備較高的躍遷頻率,PDTC114ET,215 適合用于高頻數(shù)字電路,能夠滿足快速開關(guān)與信號處理的需求。
傳感器和控制領(lǐng)域:在各種傳感器控制與信號處理應(yīng)用中,PDTC114ET,215 的小尺寸和低功耗特性使其成為理想選擇。
總之,PDTC114ET,215 是一款非常出色的NPN數(shù)字晶體管,憑借其優(yōu)異的電氣性能、緊湊的封裝及廣泛的應(yīng)用可能,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計和實現(xiàn)提供了可靠的選擇。無論是在消費電子、通信設(shè)備、還是工業(yè)控制領(lǐng)域,PDTC114ET,215 都能夠滿足用戶的高性能需求,是值得投資的先進元器件。