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S34ML02G200BHI000 產品實物圖片
S34ML02G200BHI000 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

S34ML02G200BHI000

商品編碼: BM0000285456
品牌?:?
CYPRESS(賽普拉斯)
封裝?:?
63-BGA(11x9)
包裝?:?
托盤
重量?:?
0.15g
描述?:?
NAND FLASH -40℃~+85℃ 2Gbit 25ns 2.7V~3.6V BGA-63
庫存 :
422(起訂量1,增量1)
批次 :
20+
數量 :
X
11.35
按整 :
托盤(1托盤有2100個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥11.35
--
100+
¥9.77
--
1050+
¥9.31
--
31500+
產品參數
產品手冊
產品概述

S34ML02G200BHI000參數

存儲器類型非易失存儲器格式閃存
技術閃存 - NAND存儲容量2Gb (256M x 8)
存儲器接口并聯寫周期時間 - 字,頁25ns
電壓 - 供電2.7V ~ 3.6V工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型表面貼裝型封裝/外殼63-VFBGA
供應商器件封裝63-BGA(11x9)

S34ML02G200BHI000手冊

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無數據

S34ML02G200BHI000概述

產品概述:Cypress S34ML02G200BHI000 NAND Flash 存儲器

一、產品簡介

Cypress S34ML02G200BHI000 是一款高性能的 NAND Flash 存儲器,具有2Gb(256M x 8)的存儲容量。該產品采用閃存 - NAND技術,專為需要快速存取和高耐用性的應用而設計,尤其適合嵌入式系統、移動設備、工業控制、汽車電子以及消費類電子產品。

二、基本參數

  1. 存儲器類型:非易失性存儲器
  2. 存儲器格式:閃存
  3. 技術:NAND Flash
  4. 存儲容量:2Gb(256M x 8)
  5. 存儲器接口:并聯接口
  6. 寫周期時間:25ns/字,頁
  7. 供電電壓:2.7V ~ 3.6V
  8. 工作溫度范圍:-40°C ~ 85°C(TA)
  9. 安裝類型:表面貼裝型
  10. 封裝形式:63-VFBGA(11x9mm)

三、性能特點

  1. 高速讀寫能力: S34ML02G200BHI000 的寫周期時間為25ns,使得數據的讀寫速度極為迅速,適合對性能有較高要求的應用環節。這尤其適合需要快速啟動和高效率數據訪問的嵌入式系統。

  2. 廣泛的工作溫度范圍: 該存儲器能夠在-40°C ~ 85°C的廣泛溫度范圍內穩定運行,適合汽車電子、工業設備等在極端環境下工作需求較高的應用。

  3. 非易失性存儲: 作為一種非易失性存儲器,S34ML02G200BHI000 即使在斷電的情況下也能夠保留數據,確保數據的安全性和可靠性。這也使其成為數據記錄、存儲和快速緩存等應用的理想選擇。

  4. 小型封裝設計: 采用63-VFBGA封裝,公司設計使得S34ML02G200BHI000 在空間有限的應用場合(如移動設備或緊湊型電子設備)中功能強大而不會花費太多空間。

四、應用場景

  1. 消費電子產品: 在智能手機、平板電腦和其他便攜設備中,S34ML02G200BHI000 能夠快速存取應用程序和操作系統數據,提高用戶體驗。

  2. 工業控制系統: 利用其高可靠性和寬溫工作范圍,Cypress S34ML02G200BHI000 可用于各種工業設備的控制系統中,確保關鍵數據的存儲和操作穩定性。

  3. 汽車電子: 由于其耐高溫和高耐用性,適合用于汽車娛樂系統、導航系統和傳感器數據存儲等場合,在保證性能的同時,也確保了安全性。

  4. 醫療設備: 在醫療電子設備中,例如監測儀器和診斷工具,要求高度的數據可靠性和快速的數據處理能力,S34ML02G200BHI000 能夠滿足這些需求。

五、總結

Cypress S34ML02G200BHI000 NAND Flash 存儲器以其卓越的性能、可靠性和多樣化的應用場景,適合全球范圍內各類電子產品的設計選型。無論在消費類電子、工業自動化、汽車電子或醫療設備中,均展現出其強大的適應性和性能優勢。選擇S34ML02G200BHI000,意味著選擇了一個高效、可靠且經濟的存儲解決方案。