IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF參數
| 漏源電壓（Vdss） | 55V | 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 2A |
| 柵源極閾值電壓 | 2V @ 250uA | 漏源導通電阻 | 140mΩ @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 類型 | N溝道 |
| FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 2A（Ta） | 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 140 毫歐 @ 2A，10V | 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 230pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | SOT-223 | 封裝/外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
IRLL014NTRPBF手冊
IRLL014NTRPBF概述
IRLL014NTRPBF 產品概述
概述
IRLL014NTRPBF是一款高性能的N溝道MOSFET，專為各種電子應用而設計，具有可靠的性能和廣泛的工作環境適應性。該器件的主要特點包括55V的最大漏源電壓、2A的連續漏極電流以及140毫歐的低導通電阻，使其成為電源管理、開關電源以及驅動電路中的理想選擇。
關鍵規格
- 漏源電壓 (Vdss): 55V
- 連續漏極電流 (Id): 2A（在25°C時）
- 柵源極閾值電壓 (Vgs(th)): 2V @ 250μA
- 漏源導通電阻 (Rds(on)): 140mΩ @ 2A, 10V
- 最大功率耗散: 1W（在環境溫度25°C下）
- 工作溫度范圍: -55°C ~ 150°C
- 封裝類型: SOT-223，符合表面貼裝技術(SMT)要求
- 柵極電荷 (Qg): 14nC @ 10V
- 輸入電容 (Ciss): 230pF @ 25V
該器件的設計符合高頻率應用的需求，具有出色的開關速度和低功耗特性。
應用場景
IRLL014NTRPBF廣泛應用于以下領域：
- 開關電源: 其低導通電阻和較高的耐壓特性使其能夠高效控制電流，提升開關電源的效率。
- 電機驅動: 用于直流電機驅動電路中，能夠有效進行電機的啟停和速度控制。
- LED驅動: 可用于LED照明應用，為LED提供穩定的工作電流，以保證光源的亮度和壽命。
- 電池管理系統: 能有效在電池充放電過程中提供優良的開關性能，增強系統的整體效率。
- 其他低壓應用: 包括電源適配器、便攜設備和消費電子產品的切換和放大應用。
特性分析
IRLL014NTRPBF的關鍵性能指標使其在市場中具備顯著競爭力。首先，其高達55V的漏源電壓提升了器件在電壓變化大的環境中的穩定性。同時，2A的連續漏極電流確保它能夠處理多種常見負載工作條件。制程先進的MOSFET特性使該器件具有極低的導通電阻(140毫歐)，這意味著在額定電流下，它的熱損耗會顯著減少，從而提升整體電路的能效。
柵源電壓控制下，該MOSFET表現出較低的柵極電荷(14nC)，這使它在高頻開關應用中能夠實現更快的切換速度和更低的能耗。此外，其優異的工作溫度范圍 (-55°C ~ 150°C) 確保了在嚴苛的工業環境下的性能可靠性，能夠滿足汽車及工業自動化設備中對器件穩定性的高要求。
封裝和安裝
IRLL014NTRPBF采用SOT-223封裝，這種封裝類型不僅易于進行表面貼裝，還能在緊湊的PCB設計中釋放更多的空間。其小型化的特性與優良的散熱能力使得該MOSFET對于多重應用場景都有良好的適應性，而其標準的封裝形式也使得設計者可以方便地替換或升級電路設計。
總結
綜上所述，IRLL014NTRPBF是一款高效可靠的N溝道MOSFET，適合廣泛的電子應用需求。憑借其出色的電氣特性、較低的功耗和極好的熱穩定性，它為當今快速發展的電子市場提供了一個強有力的解決方案。無論是在開關電源、LED驅動還是電機控制等應用中，IRLL014NTRPBF都能夠提供表現卓越、可靠性高的電源管理能力，為設計師與工程師在產品開發上贏得優勢。