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SVF12N65F 產品實物圖片
SVF12N65F 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

SVF12N65F

商品編碼: BM0000286489
品牌?:?
SILAN(士蘭微)
封裝?:?
TO-220F 塑封
包裝?:?
管裝
重量?:?
3g
描述?:?
場效應管(MOSFET) 51W 650V 12A 1個N溝道 TO-220F
庫存 :
100(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
2.06
按整 :
管(1管有1000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥2.06
--
50+
¥1.58
--
1000+
¥1.32
--
10000+
產品參數
產品手冊
產品概述

SVF12N65F參數

漏源電壓(Vdss)650V連續漏極電流(Id)(25°C 時)12A
漏源導通電阻680mΩ @ 6A,10V柵源極閾值電壓4V @ 250uA
最大功率耗散(Ta=25°C)51W類型N溝道

SVF12N65F手冊

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無數據

SVF12N65F概述

SVF12N65F 產品概述

一、產品概述

SVF12N65F 是一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO-220F 封裝,具有出色的電氣性能和熱性能,廣泛應用于各類電源管理、開關電源、電機驅動及其他高壓和高功率應用中。其主要特點包括最大漏源電壓 Vdss 為 650V ,連續漏極電流 Id 在25°C 時可達到 12A,漏源導通電阻 Rds(on) 為 680mΩ(在 6A 和 10V 的條件下測得),極具競爭力的功率耗散能力,為設計工程師提供了良好的選擇。

二、關鍵參數

  • 漏源電壓 (Vdss): 650V
  • 連續漏極電流 (Id): 12A (在 25°C 環境溫度下)
  • 漏源導通電阻 (Rds(on)): 680mΩ @ 6A, 10V
  • 柵源極閾值電壓 (Vgs(th)): 4V @ 250μA
  • 最大功率耗散 (Pd): 51W (Ta=25°C)
  • 類型: N 溝道
  • 封裝: TO-220F

三、應用領域

SVF12N65F 的高耐壓和高電流能力使其成為各種電源轉換和管理應用中不可或缺的組成部分。具體應用領域包括但不限于:

  1. 開關電源 (SMPS): 在 AC/DC 轉換和 DC/DC 穩壓電源中,SVF12N65F 可充當開關元件,提供高效的能量轉換。
  2. 電機控制: 在電機驅動應用中,尤其是無刷直流電動機 (BLDC) 和步進電機驅動中,SVF12N65F 由于其快速開啟和關閉特性,提高控制精度和響應速度。
  3. 電力驅動電路: 在高電流和高電壓的電力驅動電路中,SVF12N65F 可用于實現高效能的開關控制,減少功率損耗。
  4. 逆變器: 在光伏和風能系統中的逆變器中,作為開關元件,提高系統的效率和可靠性。
  5. 汽車電子: 在新能源電動車、電動助力轉向 (EPS) 和電動剎車中,也能發揮良好的性能。

四、性能優勢

  1. 高耐壓與大電流能力: SVF12N65F 的 650V 額定電壓和 12A 的連續電流能力使其在高壓場合中具有很強的適用性。
  2. 低漏源導通電阻: 680mΩ 的導通電阻在高電流工作狀態下有效地減少了功率損耗,提高了系統的整體效率。
  3. 優良的熱性能: 51W 的最大功率耗散能力,能夠在適當的散熱條件下滿足高功率密度設計的要求。
  4. 較低的柵源閾值電壓: 4V 的柵源閾值電壓允許在較低控制信號下實現有效驅動,提高了系統的兼容性。

五、使用注意事項

為了確保 SVF12N65F 的最佳性能,設計人員需注意以下幾點:

  1. 散熱設計: 必須確保有效散熱,尤其在高負載下,避免器件過熱。
  2. 過壓保護: 在高壓應用中,應考慮過壓保護電路,以防止漏極電壓超過額定值。
  3. 驅動電路選擇: 選擇適合的驅動電路以確保柵極的開啟和關閉速度,以增強開關效率并減少開關損失。

六、總結

SVF12N65F 作為士蘭微公司推出的一款高性能 N 溝道 MOSFET,通過其優越的電氣和熱性能,能夠有效地滿足現代電子設備對于高效能、低功耗和高可靠性的需求,適用于廣泛的應用領域。無論是在開關電源、電機控制還是逆變器中,SVF12N65F 都展現出了極高的適用性和性能優勢,是高壓開關電源設計中的理想選擇。