漏源電壓(Vdss) | 20V | 連續漏極電流(Id)(25°C 時) | 6.3A |
柵源極閾值電壓 | 1.1V @ 10uA | 漏源導通電阻 | 21mΩ @ 6.3A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.3W | 類型 | N溝道 |
FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET(金屬氧化物) |
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 6.3A(Ta) | 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 21 毫歐 @ 6.3A,4.5V | 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10μA |
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值) | 8.9nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 700pF @ 16V | 功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
供應商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 | 封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
IRLML6244TRPBF是一款性能優異的N溝道增強型MOSFET,廣泛應用于各種電子電路中,如開關電源、低壓電機驅動、LED驅動及功率管理等。該器件由知名半導體制造商英飛凌(Infineon)生產,具備高效能和高可靠性,能夠滿足復雜電路設計的需求。
IRLML6244TRPBF的主要電氣特性包括:
IRLML6244TRPBF的驅動電壓選擇靈活,最小Rds(on)可在2.5V和4.5V下實現,非常適合低電壓邏輯控制的應用。這種低電壓驅動特性使得該器件在與流行的PWM信號或數字邏輯電路連接時表現出良好的兼容性。
電氣特性如柵極電荷(Qg)為8.9nC和輸入電容(Ciss)為700pF @ 16V,這些參數影響開關速度和電路的總體性能。低柵極電荷值意味著開關次數的延遲時間較短,從而提高了開關頻率的上限,這對于開關電源和快速開關應用至關重要。
IRLML6244TRPBF采用SOT-23 (Micro3)封裝,這種小型表面貼裝封裝使得器件在PCB設計中能有效節省空間,適合高密度設計要求。同時,SOT-23封裝的散熱性能良好,適合長時間高負荷工作。
IRLML6244TRPBF非常適合以下應用:
IRLML6244TRPBF是一款有效的N溝道MOSFET,憑借其高效的電氣性能與寬廣的應用范圍,適合多種電子設備和電路的設計需求。無論是在功率管理,電機驅動,還是在開關電源應用中,該器件都能提供令人滿意的性能,成為現代電子設計的重要組成部分。選擇IRLML6244TRPBF,即意味著選擇了一款性能穩定、耐用可靠的高性能開關元件,為您的電路設計助力。