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SVF10N60F 產品實物圖片
SVF10N60F 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

SVF10N60F

商品編碼: BM0000287451
品牌?:?
SILAN(士蘭微)
封裝?:?
TO-220F 塑封
包裝?:?
-
重量?:?
2.44g
描述?:?
場效應管(MOSFET) 50W 600V 10A 1個N溝道 TO-220F-3
庫存 :
0(起訂量1,增量1)
批次 :
-
數量 :
X
2.26
按整 :
-(1-有1000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥2.26
--
50+
¥1.74
--
20000+
產品參數
產品手冊
產品概述

SVF10N60F參數

漏源電壓(Vdss)600V連續漏極電流(Id)(25°C 時)10A(Tc)
柵源極閾值電壓4V @ 250uA漏源導通電阻1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)類型N溝道

SVF10N60F手冊

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無數據

SVF10N60F概述

SVF10N60F 產品概述

一、基本信息

SVF10N60F 是一款由士蘭微(Silan)生產的 N 溝道場效應管(MOSFET),其封裝形式為 TO-220F,適合于多種高壓、高功率應用。該產品最大漏源電壓為 600V,能夠承受的連續漏極電流為 10A(在 25°C 溫度條件下),并具備較低的漏源導通電阻 1Ω(在 5A 和 10V 的測試條件下),其最大功率耗散能力為 50W(在環境溫度為 25°C 時)。這些參數使得 SVF10N60F 在電力電子和高壓應用中具有廣泛的適用性。

二、產品特性

  1. 高壓性能: SVF10N60F 的漏源電壓 Vdss 高達 600V,意味著該MOSFET 能夠在高壓環境中正常工作,適合用于開關電源、逆變器、馬達驅動等電力轉換設備。

  2. 高電流處理能力: 該器件的連續漏極電流(Id)為 10A,提供了良好的電流處理能力。這在實際應用中,尤其是在電源轉換和控制領域,可以確保系統的穩定性和安全性。

  3. 低導通電阻: SVF10N60F 的漏源導通電阻達到 1Ω(在5A和10V下測試),較低的導通電阻意味著在高電流工作時可以顯著降低功耗及發熱,提高整體效率。

  4. 合理的功率耗散: 最大功率耗散為 50W,使其可以在較高功率條件下運行而不會過熱。在實際應用中,合理的散熱設計可以進一步提升其工作性能。

  5. 閾值電壓: 該器件的柵源極閾值電壓為 4V(在 250uA 下測得),這使得 SVF10N60F 可與多種驅動電路兼容,便于在低電壓條件下實現高效開關控制。

三、應用場景

SVF10N60F 的設計使其非常適合用于以下幾個主要場景:

  1. 開關電源: 在各種電源轉換應用中,包括AC/DC轉換、DC/DC變換器,該MOSFET能夠高效地實現開關控制,從而提高系統的能量轉換效率。

  2. 逆變器: 在可再生能源系統中,如太陽能逆變器和風能逆變器,SVF10N60F 可以作為功率開關,用于將直流電轉換為交流電,提供給電網或負載。

  3. 馬達驅動: 在電動機控制系統中,該器件能作為高效的開關元件,實現對電機的驅動和控制,適用于各類電動工具和電動車輛。

  4. 照明設備: 該MOSFET 也可在LED驅動電源中使用,作為開關元件,實現精確的照明控制。

四、結論

SVF10N60F 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,其600V的高壓特性、出色的電流處理能力、低導通電阻和合理的功率耗散能力,使得它在多種電力電子應用中具備顯著優勢。無論是在電源供應、馬達控制還是逆變器等領域,這款MOSFET都是一個可靠的選擇。隨著電子設備對高效、高可靠性元件需求的不斷提升,SVF10N60F 將憑借其優異的性能,成為市場中廣泛應用的重要電子元器件之一。