額定功率 | 200mW | 集電極電流Ic | 100mA |
集射極擊穿電壓Vce | 45V | 晶體管類型 | NPN |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA | 電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 45V |
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA | 電流 - 集電極截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
頻率 - 躍遷 | 100MHz | 工作溫度 | 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | SC-70,SOT-323 |
供應商器件封裝 | SOT-323 |
BC847BW是由Nexperia(安世)制造的一款高性能NPN型小信號晶體管,廣泛應用于各種電子電路中。該器件具備多種特點,使其成為信號放大和開關應用的理想選擇,尤其是在需要小型化和高效率的現代電子設備中。
BC847BW的額定功率為200mW,集電極電流(Ic)最大可達到100mA,集射極擊穿電壓(Vce)最大值為45V。在設計時,工程師可以依靠這些參數來確保晶體管在其工作條件下的穩定性和可靠性。
此晶體管的結構為NPN型,適合在多個應用場景中使用,尤其是在需要控制更高電壓或電流的開關電路中。它的高集電極電流和適度的擊穿電壓使其能夠在高負載下正常工作。
BC847BW在不同的工作條件下,表現出色的性能特征。例如,在低集電極電流(如5mA)下,Vce飽和壓降最大為400mV。這對于電路設計非常重要,因為低飽和壓降意味著更高的效率和更少的熱量產生。此外,器件的最大電流-集電極截止值為15nA,使得其在關閉狀態下能夠有效地抑制漏電流。
該晶體管還具有良好的直流電流增益(hFE),在2mA和5V條件下,增益最小值為200,這意味著在相對較小的基極電流下,可以實現更大的集電極電流,進一步提升應用的靈活性和性能。
BC847BW的頻率躍遷達到100MHz,確保其在高頻應用中也能保持良好的增益和線性特性。這使得該器件適合用于射頻放大、模擬信號處理等尖端技術領域。此外,其工作溫度范圍高達150°C(TJ),讓工程師在設計時更能放心,應對極端的工作環境和溫度變化。
BC847BW采用SOT-323封裝,3206標準化尺寸,適合表面貼裝(SMD)設計。這種小巧的封裝不僅有助于減小電路板的空間占用,還能提高生產效率,尤其是在批量生產中。
由于其靈活性和高性能,BC847BW適用于多種電子產品,常見應用包括但不限于:
對于需要高可靠性與性能的應用,BC847BW是一個非常合適的選擇。它在成本、性能和小尺寸之間實現了良好的平衡,是現代電子設計的重要組成部分。
Nexperia的BC847BW是一種高效、非常可靠的小信號NPN晶體管,憑借其優異的電氣特性,緊湊的封裝設計,以及廣泛的應用潛力,這一器件成為許多電子產品和系統設計中不可或缺的元件。無論是針對新興技術還是現有的電子設計,BC847BW都展現出了極大的價值和應用前景。工程師們可以憑借其豐富的參數和性能特征,輕松實現系統設計目標,推動技術創新。