IRF8736TRPBF
IRF8736TRPBF參數
| 漏源電壓（Vdss） | 30V | 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 18A |
| 柵源極閾值電壓 | 2.35V @ 50uA | 漏源導通電阻 | 4.8mΩ @ 18A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 類型 | N溝道 |
| FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 18A（Ta） | 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 4.8 毫歐 @ 18A，10V | 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50μA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 26nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 2315pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | 8-SO | 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
IRF8736TRPBF手冊
IRF8736TRPBF概述
IRF8736TRPBF 產品概述
1. 產品基本信息
IRF8736TRPBF 是一款高性能的N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），由知名品牌英飛凌（Infineon）生產，采用了SOP-8封裝。這款MOSFET在業界以其優異的導通性能和較高的電流承載能力而受到廣泛應用，適合多種電子電路設計需求。
2. 主要電氣特性
- 漏源電壓（Vdss）: 該型號的最大漏源電壓為30V，使其能夠在中等電壓應用中穩定工作。
- 連續漏極電流（Id）: 在25°C環境條件下，IRF8736TRPBF可承載高達18A的電流，非常適合需要較大電流驅動的電路，具有良好的電流輸出能力。
- 導通電阻（Rds(on)）: 在驅動電壓為10V的條件下，漏源導通電阻小至4.8毫歐，這一特性顯著降低了功率損耗和發熱，提高了設備的整體效率。
3. 驅動參數
IRF8736TRPBF的柵源極閾值電壓為2.35V（在50μA時測量），適合低電壓驅動條件，方便與數字電路兼容。此MOSFET在4.5V和10V的驅動電壓下都能達到最佳的導通特性，使其在各種工作條件下表現穩定。此外，柵極電荷（Qg）為26nC（在4.5V驅動下），確保快速開關能力，適應高頻率操作需求。
4. 功率與熱管理
IRF8736TRPBF的最大功率耗散為2.5W，這對于其尺寸和封裝類型而言是十分合理的。這款MOSFET在廣泛的工作溫度范圍（-55°C至150°C）下運行良好，確保在嚴苛環境下的可靠性。低的Rds(on)特性還意味著在高負載運行時整體發熱較低，提高了設備的散熱及長時間穩定運行能力。
5. 應用場景
這款MOSFET被廣泛應用于各類電子產品和電路設計中，包括但不限于：
- 直流電機驅動器
- 開關電源
- LED照明驅動
- 電池管理系統
- 高頻開關應用
由于其出色的性能，IRF8736TRPBF尤其適合在需要高效率、低功耗和高熱管理能力的應用場景中使用。
6. 封裝與安裝
IRF8736TRPBF采用SO-8封裝，外形尺寸小巧，能夠滿足現代電子產品對空間利用的高要求。表面貼裝技術（SMD）也使得其在自動化生產中的應用更加方便，能夠減少裝配成本和時間。
7. 總結
總的來說，IRF8736TRPBF是一款高效、穩定且適應性強的N溝道MOSFET，結合了英飛凌的先進技術，使其在眾多電子應用中成為理想選擇。其優異的電氣特性和廣泛的應用潛力，使其在業界表現突出，受到工程師們的青睞。無論是在低壓高電流的電源設計，還是在需要高頻快速開關的應用中，IRF8736TRPBF無疑都是值得信賴的選擇。