反向恢復時間(trr) | 75ns | 直流反向耐壓(Vr) | 1kV |
平均整流電流(Io) | 1A | 正向壓降(Vf) | 1.7V @ 1A |
二極管類型 | 標準 | 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V |
電流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 時電壓 - 正向 (Vf) | 1.4V @ 2A |
速度 | 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢復時間 (trr) | 100ns |
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏 | 10μA @ 1000V | 不同?Vr、F 時電容 | 10pF @ 4V,1MHz |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | DO-214AC,SMA |
供應商器件封裝 | DO-214AC(SMA) | 工作溫度 - 結 | -65°C ~ 175°C |
US1M-TP 是一種快速恢復、高效率標準二極管,由知名電子元器件制造商 MCC (美微科) 生產。該二極管特別適合于高電壓、高頻率的電子應用,能夠在嚴苛的環境下穩定工作。它具有很好的熱性能,能夠承受寬廣的工作溫度范圍。
反向恢復時間 (trr): US1M-TP 的反向恢復時間最高可達到 75ns,這使其能在頻繁切換的電流條件下表現出色。快速恢復特性確保二極管可以迅速回到反向狀態,降低了開關損耗,非常適合開關電源和高頻變換應用。
直流反向耐壓 (Vr): 二極管的最大直流反向耐壓達到 1kV,能夠輕松應對高壓電路的要求。此特性使其在工業設備和電源管理系統中非常受歡迎。
平均整流電流 (Io): US1M-TP 的平均整流電流為 1A,能夠滿足大多數應用的需求。在需要調節電流的電路設計中,這一參數提供了良好的靈活性。
正向壓降 (Vf): 在 1A 的條件下,正向壓降為 1.7V,較低的壓降可以最大限度地減少能量損失,提升整體能效,這在熱效應敏感的應用中尤為重要。
反向泄漏電流: 在最大直流反向耐壓 (1kV) 下,反向泄漏電流僅為 10μA,極小的泄漏電流有助于提高電路的整體效率和穩定性,避免不必要的能量損耗。
電容特性: 在4V和1MHz下,二極管的輸入電容僅為10pF。這一低電容特性使得二極管在高頻操作時能夠維持較好的信號完整性,適合用于高頻信號處理和 RF 應用。
工作溫度范圍: US1M-TP的結溫范圍為 -65°C 至 175°C,這意味著該器件可以在極端的環境條件下繼續安全運行,滿足航空航天、汽車電子等領域的需求。
US1M-TP 采用DO-214AC(SMA)封裝,適合表面貼裝(SMD)設計。該封裝不僅有助于節省空間,同時也提高了器件的散熱性能,使其在高功率應用中表現更加穩定。小型化的特性使其非常適合在緊湊型電子設備中使用,這對于現代電子產品的設計至關重要。
憑借其卓越的性能,US1M-TP廣泛應用于:
US1M-TP 是一款高效能的快速恢復二極管,憑借其高耐壓、低正向壓降和優良的熱穩定性,成為各種電子器件和電源管理系統的優秀選擇。其多功能性和高可靠性使其在現代電子設計中不可或缺,為不同的應用提供穩定的電流和電壓支持。無論是在個人電子產品還是在工業自動化設備中,US1M-TP 都展示了其極高的價值和廣泛的適用性。