存儲器類型 | 易失 | 存儲器格式 | SRAM |
技術 | SRAM - 異步 | 存儲容量 | 4Mb (256K x 16) |
存儲器接口 | 并聯 | 寫周期時間 - 字,頁 | 10ns |
訪問時間 | 10ns | 電壓 - 供電 | 2.2V ~ 3.6V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) | 供應商器件封裝 | 44-TSOP II |
CY7C1041GN30-10ZSXIT是Cypress(賽普拉斯)公司推出的一款高性能靜態隨機存取存儲器(SRAM)。它采用異步SRAM技術,提供高達4Mb的存儲容量(256K x 16),十分適合需要快速數據訪問和存取的應用場景。憑借其低功耗、高速度和寬工作溫度范圍,CY7C1041GN30-10ZSXIT在各種嵌入式系統和工業應用中展現出強大的競爭力。
存儲類型與容量: CY7C1041GN30-10ZSXIT是一個易失性存儲器,具有4Mb(256K x 16)的存儲容量,能夠有效存儲大型數據集,在多種應用場合中靈活使用。
技術與接口: 該SRAM芯片基于異步訪問技術,支持并聯存儲器接口,使得數據的讀寫速度達到極高的水平。這種設計確保了數據存取的高效率,適合要求快速響應的場景。
訪問與寫周期時間: CY7C1041GN30-10ZSXIT的訪問時間僅為10ns,寫周期時間同樣為10ns。這確保了在處理實時數據時能夠快速響應,適合包括網絡設備、通信設備以及其他高速數據處理的應用。
電源電壓與功耗: 此SRAM工作電壓范圍為2.2V至3.6V,能夠在低電壓下運行,降低了整體功耗,對便攜設備尤其重要。低功耗特性使得CY7C1041GN30-10ZSXIT在移動應用和電池供電設備中極具吸引力。
工作溫度范圍: 該產品的工作溫度范圍為-40°C至85°C,使其能夠在惡劣環境下可靠運行,滿足工業級應用的需求。
封裝與安裝: CY7C1041GN30-10ZSXIT采用44-TSOP II封裝,以表面貼裝型設計,使得其適用于高密度板設計,廣泛應用于各種電路板上。
Cypress CY7C1041GN30-10ZSXIT廣泛應用于多個領域,包括:
通信設備: 在高速網絡設備和通訊基站中,SRAM的快速存取能力可以改善數據傳輸效率。
消費電子: 在智能手機、平板電腦及其他消費品中,作為臨時數據存儲器提供快速的操作響應。
工業控制: 由于其寬廣的工作溫度范圍,此SRAM在惡劣環境的工業控制系統中同樣表現出色。
嵌入式系統: 在需要快速緩存和臨時數據存儲的嵌入式處理器中,CY7C1041GN30-10ZSXIT提供了穩定可靠的性能。
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款功能強大并具備高性能的SRAM產品,結合其卓越的存儲能力、快速的訪問時間以及廣泛的應用場合,成為了當今高科技設備中不可或缺的組成部分。無論是用于復雜的工業控制系統還是日常消費電子產品,該SRAM都能為設計師提供迎合不同需求的解決方案,是實現更高效、更可靠電子產品設計的重要選擇。隨著高科技行業的發展以及對存儲器技術持續提升的需求,CY7C1041GN30-10ZSXIT將繼續發揮其重要作用。