電流 - 集電極截止(最大值) | 100nA | 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 80V | 電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 500mA |
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
頻率 - 躍遷 | 100MHz | 功率 - 最大值 | 225mW |
晶體管類型 | NPN | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
MMBTA06LT1G是一款高性能的NPN型晶體管,采用SOT-23-3表面貼裝封裝,廣泛應用于電子電路中,具備良好的增益特性和較低的飽和壓降。該晶體管特別適合于要求高頻率和高效率的電路應用,如開關電源、信號放大以及開關電路等。
電流特性:
電壓特性:
增益特性:
飽和壓降:
工作溫度范圍:
頻率特性:
功率規(guī)格:
MMBTA06LT1G的多種特性使其能夠在多個領域得到廣泛應用,其中包括但不限于:
MMBTA06LT1G采用SOT-23-3封裝,適合表面貼裝技術(SMT),能夠減少PCB占用空間并提高整個電路的集成度。小尺寸使其在現代小型電子產品中更具優(yōu)勢,滿足現代電子設計對尺寸和功率的需求。
綜上所述,MMBTA06LT1G是一款功能強大、應用廣泛的NPN晶體管。其良好的電流增益、低飽和壓降和寬廣的工作溫度范圍使其成為各種電子設備中不可或缺的元件。ON(安森美)作為一個享有盛譽的品牌,其產品始終堅持高質量和高性能的原則,使得MMBTA06LT1G在市場中具備強大的競爭力。在選擇適合您項目的晶體管時,MMBTA06LT1G無疑是一個值得考慮的優(yōu)質選擇。