存儲器類型 | 非易失 | 存儲器格式 | 閃存 |
技術(shù) | 閃存 | 存儲容量 | 2Mb (264 字節(jié) x 1024 頁) |
存儲器接口 | SPI | 時鐘頻率 | 70MHz |
寫周期時間 - 字,頁 | 8μs,3ms | 電壓 - 供電 | 1.65V ~ 3.6V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TC) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) | 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC |
AT45DB021E-SSHN-T 是由 ADESTO 生產(chǎn)的一款高性能非易失性閃存存儲器。此器件采用先進(jìn)的閃存技術(shù),具有杰出的讀寫性能和可靠性,使其成為各種電子設(shè)備數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。以下將詳細(xì)介紹其主要規(guī)格、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及典型應(yīng)用電路,幫助用戶全面了解這一組件的優(yōu)勢。
AT45DB021E-SSHN-T 擁有多種顯著特點(diǎn),使其在市場上具有競爭優(yōu)勢:
AT45DB021E-SSHN-T 的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,包括但不限于:
AT45DB021E-SSHN-T 常與微控制器(MCU)配合使用,通過 SPI 總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。以下是一個簡化的典型應(yīng)用電路:
在設(shè)計(jì)電路板時,需要注意信號完整性和提供足夠的旁路電容,以確保存儲器的穩(wěn)定性和可靠性。
綜上所述,AT45DB021E-SSHN-T 是一款性能卓越的非易失性閃存器件,憑借其高速度、低功耗和廣泛的工作溫度范圍,適合多種應(yīng)用場景。從消費(fèi)電子到工業(yè)自動化,這款閃存存儲器為設(shè)計(jì)師提供了一種可靠的解決方案,確保了數(shù)據(jù)的安全存儲和快速訪問。隨著電子設(shè)備對小型化和高性能需求的不斷增加,AT45DB021E-SSHN-T 將在未來的電子產(chǎn)品中繼續(xù)發(fā)揮重要作用。