存儲器類型 | 非易失 | 存儲器格式 | FRAM |
技術(shù) | FRAM(鐵電體 RAM) | 存儲容量 | 4Kb (512 x 8) |
存儲器接口 | SPI | 時鐘頻率 | 20MHz |
電壓 - 供電 | 2.7V ~ 3.6V | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC |
FM25L04B-GTR是一款由Cypress(賽普拉斯)公司提供的非易失性鐵電體RAM(FRAM)存儲器,具有獨特的設(shè)計和性能特征,適用于各種嵌入式應(yīng)用。該器件采用8-SOIC封裝,具有存儲容量為4Kb(512 x 8)的特點,支持SPI接口以及高達20MHz的時鐘頻率,使其在數(shù)據(jù)存儲與傳輸方面表現(xiàn)優(yōu)異。
存儲技術(shù):FM25L04B-GTR基于FRAM(鐵電體RAM)技術(shù),具有較快的寫入速度和低功耗的特點,與傳統(tǒng)的EEPROM和Flash存儲器相比具有顯著優(yōu)勢。
存儲容量:本產(chǎn)品提供4Kb的存儲容量,適合存儲小型數(shù)據(jù)日志、配置文件及其他非易失性應(yīng)用場景。
高速性:該存儲器能夠在高達20MHz的時鐘頻率下操作,確保快速的數(shù)據(jù)讀寫能力,可以滿足對高數(shù)據(jù)速率要求的應(yīng)用需求。
工作電壓范圍:FM25L04B-GTR的供電電壓范圍為2.7V至3.6V,適合大多數(shù)低功耗便攜式設(shè)備。
廣泛的工作溫度范圍:該產(chǎn)品的工作溫度在-40°C至85°C的范圍內(nèi),這使得FM25L04B-GTR在環(huán)境嚴酷的工業(yè)及汽車應(yīng)用中同樣具有可靠性。
易于集成:采用SOIC-8表面貼裝型封裝,簡化了PCB設(shè)計和組件集成,為生產(chǎn)和組裝過程提供了便利。
由于其獨特的性能和特性,F(xiàn)M25L04B-GTR廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,如下所示:
工業(yè)自動化:可用于實時數(shù)據(jù)采集及日志記錄,對于工業(yè)設(shè)備的狀態(tài)監(jiān)測和存儲至關(guān)重要。
汽車電子:在車載系統(tǒng)中存儲配置參數(shù)、故障代碼和其它關(guān)鍵信息,從而滿足汽車行業(yè)對數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和安全性的高要求。
消費電子:該存儲器可以有效用于智能家居設(shè)備、可穿戴設(shè)備、傳感器等領(lǐng)域,以便在斷電情況下保存用戶數(shù)據(jù)。
醫(yī)療設(shè)備:在醫(yī)療設(shè)備中,F(xiàn)M25L04B-GTR可以幫助存儲患者監(jiān)測數(shù)據(jù)和設(shè)備設(shè)置,確保數(shù)據(jù)的安全和可靠。
優(yōu)越的耐久性:FRAM具有數(shù)十億次的寫入和擦除循環(huán)能力,極大地低于傳統(tǒng)存儲器的磨損問題。
快速寫入與讀取:與FLASH存儲器相比,F(xiàn)RAM提供更加快速和高效的數(shù)據(jù)存儲方式,幾乎沒有寫入延遲。
低功耗:在功耗管理越來越重要的今天,F(xiàn)M25L04B-GTR的設(shè)計確保了在低電壓下的高效性能,適合于電池供電的便攜式設(shè)備。
FM25L04B-GTR是一款高性能、低功耗的FRAM存儲器,結(jié)合了耐用性和快速存取能力,適合于多種需要非易失性存儲解決方案的應(yīng)用。無論是提升設(shè)備的性能、延長數(shù)據(jù)壽命,還是滿足現(xiàn)代工業(yè)及消費市場的需求,F(xiàn)M25L04B-GTR都是一個理想的選擇。Cypress憑借其卓越的技術(shù)背景和對市場需求的深刻理解,確保該存儲器在未來的電子產(chǎn)品中將繼續(xù)發(fā)揮其重要作用。