反向恢復(fù)時(shí)間(trr) | 6ns | 直流反向耐壓(Vr) | 100V |
平均整流電流(Io) | 215mA | 正向壓降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二極管配置 | 1 對(duì)串聯(lián) | 二極管類型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V | 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管) | 215mA(DC) |
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA | 速度 | 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | 6ns | 不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏 | 2.5μA @ 70V |
工作溫度 - 結(jié) | -65°C ~ 150°C | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3(TO-236) |
BAV99LT1G 是由安森美(ON Semiconductor)公司生產(chǎn)的一款高性能開關(guān)二極管,其主要用于高速開關(guān)電路、信號(hào)整流和電子開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。這款二極管具備較高的反向耐壓能力以及快速恢復(fù)時(shí)間,非常適合用于那些對(duì)開關(guān)速度及效率有更高要求的電子設(shè)備中。BAV99LT1G 采用表面貼裝型(SMD)封裝,便于自動(dòng)化焊接和空間節(jié)省,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求。
反向恢復(fù)時(shí)間(trr): BAV99LT1G 的反向恢復(fù)時(shí)間為 6ns,這使其成為快速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。反向恢復(fù)時(shí)間是二極管轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚱脿顟B(tài)所需的時(shí)間,短的反向恢復(fù)時(shí)間意味著在高頻開關(guān)中能夠有效減少開關(guān)損失,提高整體效率。
直流反向耐壓(Vr): 該二極管的最大直流反向耐壓為 100V,適合在較高電壓條件下工作。它能夠有效防止因過壓而導(dǎo)致的擊穿風(fēng)險(xiǎn),保證電路的安全性和可靠性。
平均整流電流(Io): 平均整流電流為 215mA,意味著 BAV99LT1G 能夠在一定的負(fù)載條件下持續(xù)提供穩(wěn)定的電流輸出,這對(duì)于其應(yīng)用于直流整流或信號(hào)傳輸電路中至關(guān)重要。
正向壓降(Vf): 當(dāng)負(fù)載電流達(dá)到 150mA 時(shí),二極管的正向壓降約為 1.25V。低正向壓降意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,二極管對(duì)電流的損耗較低,從而減少功耗,提高系統(tǒng)效率。
反向泄漏電流: 在 70V 的反向電壓下,反向泄漏電流僅為 2.5μA,這意味著二極管在未導(dǎo)通時(shí)的能量損耗極小,適合用于低功耗應(yīng)用。
BAV99LT1G 的工作結(jié)溫范圍為 -65°C 至 +150°C。這一寬廣的溫度適應(yīng)性使得該二極管能夠在各種環(huán)境條件下穩(wěn)定工作,滿足嚴(yán)苛應(yīng)用的需求。
BAV99LT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)封裝,這種小型化的表面貼裝封裝形式在現(xiàn)代電子設(shè)備中極為流行。其緊湊的設(shè)計(jì)便于在有限的空間內(nèi)進(jìn)行高效的布局和封裝,同時(shí)也優(yōu)化了熱管理性能,降低了溫升。
由于 BAV99LT1G 的高性能特點(diǎn),該二極管廣泛應(yīng)用于各類電子和電氣設(shè)備中,包括但不限于:
綜合來看,BAV99LT1G 是一款高效能、低功耗、適應(yīng)性強(qiáng)的開關(guān)二極管,憑借其卓越的電氣特性和廣泛的工作溫度范圍,使其成為各種應(yīng)用中不可或缺的電子元器件。對(duì)于需要快速開關(guān)、高可靠性以及有限空間設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品開發(fā)者而言,BAV99LT1G 提供了一個(gè)理想的解決方案。