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C2M1000170D 產品實物圖片
C2M1000170D 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

C2M1000170D

商品編碼: BM0000003658
品牌?:?
Cree/Wolfspeed
封裝?:?
TO247-3
包裝?:?
管裝
重量?:?
-
描述?:?
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
庫存 :
0(起訂量1,增量1)
批次 :
-
數量 :
X
59.75
按整 :
管(1管有450個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥59.75
--
10+
¥53.36
--
9000+
產品參數
產品手冊
產品概述

C2M1000170D參數

制造商Cree/Wolfspeed系列Z-FET?
包裝管件零件狀態有源
FET 類型N 通道技術SiCFET(碳化硅)
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)4.9A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)1.1 歐姆 @ 2A,20V不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 100μA
Vgs(最大值)+25V,-10V功率耗散(最大值)69W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-247-3封裝/外殼TO-247-3
漏源電壓(Vdss)1700V不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)13nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)191pF @ 1000V

C2M1000170D手冊

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無數據

C2M1000170D概述

產品概述:C2M1000170D

概述

C2M1000170D是一款由Cree/Wolfspeed制造的高性能N通道碳化硅(SiC)MOSFET,采用TO-247-3封裝。該器件專為高電壓和高效率應用設計,滿足工業和電力電子領域對高性能開關元件的需求。C2M1000170D的關鍵規格包括最大漏源電壓1700V、連續漏極電流4.9A、功率耗散最大可達69W,工作溫度從-55°C到150°C,廣泛適用于電源轉換、逆變器和其他高壓應用場景。

主要特點

  1. 高電壓能力:C2M1000170D的漏源電壓額定值達到1700V,適合要求嚴格的高電壓應用。這使其在高壓直流(HVDC)系統和工業電機驅動等領域中表現出色。

  2. 高溫工作范圍:該器件具有出色的工作溫度范圍,能夠在-55°C到150°C間穩定工作。這為其在極端環境下的應用提供了保障。

  3. 低導通電阻:在2A和20V的條件下,C2M1000170D的最大導通電阻為1.1歐姆。這意味著在開關操作中能夠減小功率損耗,提高效率。

  4. 快速開關特性:具有20ns的開關速度(典型值),使得該器件能夠在高頻操作中表現優異,適合需要快速開關的應用,如開關電源和高頻逆變器。

  5. 柵極電荷與輸入電容:在20V Vgs條件下,柵極電荷(Qg)為13nC,輸入電容(Ciss)在1000V下為191pF。這些特性使其能夠有效驅動,降低駕駛功耗,提高整體系統效率。

  6. 兼容性強:該器件采用通孔安裝類型,便于與不同PCB設計集成,適配多種電路拓撲。

應用領域

C2M1000170D廣泛應用于各類電力電子系統中,具體包括:

  • 電源轉換:適用于高壓應用中的DC/DC和DC/AC轉換器,提供高效率和穩定性。
  • 逆變器:在太陽能逆變器、電動汽車和工業驅動技術中,利用其高效能和快速切換能力,實現有效的能量轉換。
  • 電機驅動:高效率和高溫工作范圍使其成為電機控制系統的理想選擇,特別是在需要高電壓操作的電機中。

結論

C2M1000170D是一款結合高電壓能力、低導通電阻及快速開關特性的碳化硅MOSFET,能夠滿足現代電力電子設備在效率與耐用性上的多重需求。作為高負載和高溫度環境下的理想選擇,C2M1000170D不僅提升了系統的整體性能,也為各類創新應用提供了可靠的基礎。Cree/Wolfspeed在電力電子領域的豐富經驗及其產品的高質量保證使得C2M1000170D成為業內領先的選擇之一。