制造商 | Cree/Wolfspeed | 系列 | Z-FET? |
包裝 | 管件 | 零件狀態 | 有源 |
FET 類型 | N 通道 | 技術 | SiCFET(碳化硅) |
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 4.9A(Tc) | 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 1.1 歐姆 @ 2A,20V | 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 100μA |
Vgs(最大值) | +25V,-10V | 功率耗散(最大值) | 69W(Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安裝類型 | 通孔 |
供應商器件封裝 | TO-247-3 | 封裝/外殼 | TO-247-3 |
漏源電壓(Vdss) | 1700V | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值) | 13nC @ 20V |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 191pF @ 1000V |
C2M1000170D是一款由Cree/Wolfspeed制造的高性能N通道碳化硅(SiC)MOSFET,采用TO-247-3封裝。該器件專為高電壓和高效率應用設計,滿足工業和電力電子領域對高性能開關元件的需求。C2M1000170D的關鍵規格包括最大漏源電壓1700V、連續漏極電流4.9A、功率耗散最大可達69W,工作溫度從-55°C到150°C,廣泛適用于電源轉換、逆變器和其他高壓應用場景。
高電壓能力:C2M1000170D的漏源電壓額定值達到1700V,適合要求嚴格的高電壓應用。這使其在高壓直流(HVDC)系統和工業電機驅動等領域中表現出色。
高溫工作范圍:該器件具有出色的工作溫度范圍,能夠在-55°C到150°C間穩定工作。這為其在極端環境下的應用提供了保障。
低導通電阻:在2A和20V的條件下,C2M1000170D的最大導通電阻為1.1歐姆。這意味著在開關操作中能夠減小功率損耗,提高效率。
快速開關特性:具有20ns的開關速度(典型值),使得該器件能夠在高頻操作中表現優異,適合需要快速開關的應用,如開關電源和高頻逆變器。
柵極電荷與輸入電容:在20V Vgs條件下,柵極電荷(Qg)為13nC,輸入電容(Ciss)在1000V下為191pF。這些特性使其能夠有效驅動,降低駕駛功耗,提高整體系統效率。
兼容性強:該器件采用通孔安裝類型,便于與不同PCB設計集成,適配多種電路拓撲。
C2M1000170D廣泛應用于各類電力電子系統中,具體包括:
C2M1000170D是一款結合高電壓能力、低導通電阻及快速開關特性的碳化硅MOSFET,能夠滿足現代電力電子設備在效率與耐用性上的多重需求。作為高負載和高溫度環境下的理想選擇,C2M1000170D不僅提升了系統的整體性能,也為各類創新應用提供了可靠的基礎。Cree/Wolfspeed在電力電子領域的豐富經驗及其產品的高質量保證使得C2M1000170D成為業內領先的選擇之一。