FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 3A(Ta) |
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 125 毫歐 @ 3A,4.5V |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值) | 6nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 247pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta) | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 供應商器件封裝 | SOT-23 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2310-TP 是一款最新的 N 溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),以其出色的性能和廣泛的應用被廣泛認可。作為一款能夠在高壓和高電流環境下工作的元器件,SI2310-TP 特別適合于電源管理、負載開關和其他高效能要求的電子設備中。其設計和規格使得該 MOSFET 能夠在定制應用中提供卓越的性能。
漏源電壓(Vdss): SI2310-TP 具有最高 60V 的漏源電壓,這使它能夠在多種嚴格的應用環境中工作,特別適合于電源線和負載控制等場合。
連續漏電流(Id): 在 25°C 的環境溫度下,SI2310-TP 可持續提供高達 3A 的漏電流,這使得它在執行高電流開關功能時非常可靠。
柵極驅動電壓(Vgs): 該 MOSFET 在 Vgs 方面的設計為最大 ±20V,使得兼容性非常強,能夠適應不同驅動信號。此外,最小的 Rds On(導通電阻)為 125 毫歐,在 3A 和 4.5V 條件下表現出色。
柵極電荷(Qg): 在 4.5V 驅動下,最大柵極電荷為 6nC,這意味著在開關頻率較高的應用中,MOSFET 的切換損耗相對較低,提升了系統的整體效率。
輸入電容(Ciss): SI2310-TP 在 30V 的條件下,最大輸入電容為 247pF,使其在高效頻率響應的電路中表現出良好的轉態特性。
功率耗散: 該器件具有最大 350mW 的功率耗散能力,結合其在 -55°C 到 150°C 的寬溫度范圍,使得 SI2310-TP 非常適合于各種嚴苛的工作環境。
SI2310-TP 采用 SOT-23 表面貼裝封裝(TO-236-3 格式),具備緊湊的體積,方便在空間受限的電路板上安裝。表面貼裝型的設計也使得它在自動化生產過程中易于操作,確保高效的生產效率。
SI2310-TP 適合于廣泛的應用領域,包括但不限于:
電源管理系統: 在 DC-DC 轉換器、寬范圍輸入電源適配器等場景中廣泛應用,以提高能效和降低能量損耗。
負載開關: 用于負載開關控制的設計中,SI2310-TP 可以為各種電氣負載提供可靠的開關控制,提升系統的響應速度。
便攜式設備: 由于其小巧的封裝和高效率特性,該 MOSFET 特別適合于手機、平板電腦以及其他移動電子設備中,為電源管理和續航能力提供保障。
汽車電子: SI2310-TP 也能夠在汽車電子產品中發揮作用,如電動門、窗以及其他智能控制系統,增強了車輛的智能化體驗。
SI2310-TP 是一款優秀的 N 溝道 MOSFET,憑借其高性能參數和強大的實用性,在現代電子產品中展現出無可替代的價值。它的多元化應用場景使其成為電子設計師和工程師的理想選擇,無論是在定制電源解決方案還是實現功能多樣的電路設計中。選擇 SI2310-TP,不僅可以提高電路的性能,還能為項目的成功實施提供強有力的保障。