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2N7002K 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

2N7002K

商品編碼: BM69416254
品牌?:?
CJ(江蘇長電/長晶)
封裝?:?
SOT-23(SOT-23-3)
包裝?:?
-
重量?:?
-
描述?:?
場效應管(MOSFET) 350mW 60V 340mA 1個N溝道 SOT-23
庫存 :
46577(起訂量1,增量1)
批次 :
2年內
數量 :
X
0.32
按整 :
-(1-有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.32
--
200+
¥0.107
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1500+
¥0.0667
--
45000+
產品參數
產品手冊
產品概述

2N7002K參數

功率(Pd)350mW反向傳輸電容(Crss@Vds)10pF
商品分類場效應管(MOSFET)導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@4.5V
工作溫度-55℃~+150℃漏源電壓(Vdss)60V
類型1個N溝道輸入電容(Ciss@Vds)40pF
連續漏極電流(Id)340mA閾值電壓(Vgs(th)@Id)2.5V@1mA

2N7002K手冊

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無數據

2N7002K概述

2N7002K 產品概述

一、產品基本信息

產品名稱: N溝道場效應管 (MOSFET)
型號: 2N7002K
品牌: CJ (江蘇長電/長晶)
封裝類型: SOT-23 (SOT-23-3)
額定功率: 350mW
最大漏極源極電壓 (V_DS): 60V
最大漏電流 (I_D): 340mA

二、場效應管簡介

場效應管(Field Effect Transistor,FET)是一種重要的電流控制器,其工作原理基于電場對半導體導電性的影響。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種特殊類型的場效應管,其通過電壓控制源極和漏極之間的電流。2N7002K 是一種 N溝道 MOSFET,廣泛應用于開關、放大和其他電子控制電路中。

三、工作原理

2N7002K MOSFET 的工作原理基于其結構特點和電壓輸入。其漏極(D)與源極(S)之間的電流(I_D)由柵極(G)電壓(V_GS)所控制。當柵極電壓高于閾值電壓(V_GS(th))時,N溝道中的載流子(電子)會形成導電通道,使得漏極和源極之間的電流能夠有效流動。相反,當柵極電壓低于閾值電壓時,載流子的數量減少,從而切斷漏極與源極之間的電流。這使得2N7002K 能夠實現高效、快速的電流開關控制。

四、技術參數

  • 封裝類型: SOT-23 形式的封裝使得該 MOSFET 緊湊,并適合于空間有限的應用。其小尺寸和輕量化特征使得其可以在各種便攜電子設備中廣泛使用。
  • 額定功率: 最大功率為350mW,使得該組件適合進行小功率應用的開關控制。
  • 工作電壓: 其最大漏源電壓為60V,可以承受較高的電壓,適用于各類不同的電源電壓下工作。
  • 最大漏電流: 340mA 的漏電流使得其能夠驅動較小的負載,同時保持高效性。

五、應用場景

2N7002K 由于其優越的電氣特性,廣泛應用于多個領域:

  1. 開關電路:適合用作開關元件,控制電流的通斷,特別是在邏輯電路中。
  2. 放大器:幫助信號放大,適用于低頻和中頻的信號處理。
  3. 功率管理:可以用于開關電源、逆變器等功率管理電路,提高能效。
  4. 電機驅動:在低功耗電機驅動應用中,由于其較高的電壓和電流承受能力,2N7002K 是理想的選擇。
  5. LED驅動:在LED照明系統中,作為驅動控制開關,可以實現高效的亮度調節。

六、優勢和注意事項

優勢:

  • 高效能: 相較于其他類型的開關元件,MOSFET的導通電阻較低,工作時的能量損耗較小。
  • 高開關速度: 由于電壓控制的特性,其開關速度非常迅速,非常適合高頻應用。
  • 溫度穩定性: 由于長期以來的技術進步,2N7002K具備良好的溫度特性,能夠在不同環境下穩定工作。

注意事項:

  • 最大額定參數: 在應用中,須嚴格遵守最大額定電壓和電流,以免損壞元件。
  • 靜電敏感: MOSFET 對靜電較為敏感,在操作時需采取適當的防靜電措施。

七、總結

2N7002K 是一款性能優越的 N溝道 MOSFET,憑借其高電壓、高電流能力及快速的開關特性,廣泛適用于開關、信號放大和電源管理等各種應用。通過合適的設計與維護,2N7002K 能夠極大地提高電路的性能和效率,是現代電子設計中不可或缺的基礎元件之一。