功率(Pd) | 350mW | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 10pF |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@4.5V |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 漏源電壓(Vdss) | 60V |
類型 | 1個N溝道 | 輸入電容(Ciss@Vds) | 40pF |
連續漏極電流(Id) | 340mA | 閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
產品名稱: N溝道場效應管 (MOSFET)
型號: 2N7002K
品牌: CJ (江蘇長電/長晶)
封裝類型: SOT-23 (SOT-23-3)
額定功率: 350mW
最大漏極源極電壓 (V_DS): 60V
最大漏電流 (I_D): 340mA
場效應管(Field Effect Transistor,FET)是一種重要的電流控制器,其工作原理基于電場對半導體導電性的影響。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種特殊類型的場效應管,其通過電壓控制源極和漏極之間的電流。2N7002K 是一種 N溝道 MOSFET,廣泛應用于開關、放大和其他電子控制電路中。
2N7002K MOSFET 的工作原理基于其結構特點和電壓輸入。其漏極(D)與源極(S)之間的電流(I_D)由柵極(G)電壓(V_GS)所控制。當柵極電壓高于閾值電壓(V_GS(th))時,N溝道中的載流子(電子)會形成導電通道,使得漏極和源極之間的電流能夠有效流動。相反,當柵極電壓低于閾值電壓時,載流子的數量減少,從而切斷漏極與源極之間的電流。這使得2N7002K 能夠實現高效、快速的電流開關控制。
2N7002K 由于其優越的電氣特性,廣泛應用于多個領域:
優勢:
注意事項:
2N7002K 是一款性能優越的 N溝道 MOSFET,憑借其高電壓、高電流能力及快速的開關特性,廣泛適用于開關、信號放大和電源管理等各種應用。通過合適的設計與維護,2N7002K 能夠極大地提高電路的性能和效率,是現代電子設計中不可或缺的基礎元件之一。