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ESD5451N-2/TR 產品實物圖片
ESD5451N-2/TR 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

ESD5451N-2/TR

商品編碼: BM69416448
品牌?:?
WILLSEMI(韋爾)
封裝?:?
DFN1006-2L
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
絕緣柵場效應管(MOSFET)
庫存 :
305165(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
0.271
按整 :
圓盤(1圓盤有10000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥0.271
--
500+
¥0.0903
--
5000+
¥0.0602
--
100000+
產品參數
產品手冊
產品概述

ESD5451N-2/TR參數

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無數據

ESD5451N-2/TR手冊

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無數據

ESD5451N-2/TR概述

ESD5451N-2/TR 產品概述

一、產品簡介

ESD5451N-2/TR 是由WILLSEMI(韋爾半導體)推出的一款高性能絕緣柵場效應管(MOSFET),采用DFN1006-2L封裝。作為一款優質的MOSFET,它在電子系統中扮演著至關重要的角色,尤其是在需要高效開關和信號放大的應用中。

二、技術特點

  1. 低導通電阻(RDS(on)):ESD5451N-2/TR具有極低的導通電阻,這使它在開關操作時能夠有效降低能量損耗,提高整體功率的轉換效率。這一點在電源管理和功率放大應用中尤為重要。

  2. 高電流和電壓承受能力:該MOSFET的設計允許其承受較高的電壓和電流,適用于各種高性能設備,進一步增加了其適用性和可靠性。

  3. 快速開關特性:得益于其出色的開關特性,ESD5451N-2/TR能夠在快速操作中提供低延遲,這對于高頻應用至關重要,如開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅動器。

  4. 低輸入電容:較低的輸入電容使得該器件在驅動時所需的功率更低,從而進一步增強了其能效表現,適合在續航受限的設備中使用,如便攜式電子產品。

  5. 良好的熱管理特性:DFN封裝設計有效促進了散熱,使得MOSFET在高功率條件下也能夠保持良好的熱穩定性,延長了器件的使用壽命。

三、應用領域

ESD5451N-2/TR適用于多個應用場景,包括但不限于:

  1. 電源管理:在開關電源、逆變器、DC-DC變換器等電源管理系統中起到重要作用,確保高效轉換和穩定輸出。

  2. 電動機控制:在電動機驅動和控制中,該MOSFET能夠提供精確的控制信號,滿足高頻開關的要求。

  3. 便攜式設備:因其低功耗特性,ESD5451N-2/TR非常適合用于智能手機、平板電腦等便攜式電子設備,以提高電池續航能力。

  4. 消費電子產品:在家電、音響設備等消費電子產品中,它可以高效的切換和放大信號,提升音視頻質量。

  5. 汽車電子:在現代汽車電子系統中,ESD5451N-2/TR也可以用作開關和信號放大,滿足日益增長的智能運輸工具需求。

四、環境與可靠性

WILLSEMI非常注重ESD5451N-2/TR的可靠性和環境適應性,該產品符合RoHS標準,確保在設計和使用過程中對環境的影響最小化。此外,其長期穩定的電氣性能和高耐壓特性為各種工業應用提供了保障。

五、總結

ESD5451N-2/TR作為WILLSEMI的一款優質絕緣柵場效應管,在高性能要求的市場范圍內展現出卓越的性能。憑借低導通電阻、快速開關特性以及可靠的熱管理能力,其廣泛適用于電源管理、電動機控制及消費電子等各種應用場合。隨著對高能效產品需求的增長,ESD5451N-2/TR憑借其出色的綜合性能,必將在未來的電子產品設計中發揮更為重要的作用。