功率(Pd) | 1W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 55pF@10V |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V,3A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 20V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | 連續漏極電流(Id) | 3A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
NCE2301是一款高性能的P溝道場效應管(MOSFET),其主要特點為額定功率1W,耐壓范圍20V,最大漏電流可達3A。該器件采用SOT-23封裝,既緊湊又方便在各種電路設計中使用,是現代電子設備中不可或缺的重要元件。憑借其卓越的性能與穩定性,NCE2301廣泛應用于各種電源管理和信號調節場合。
高功率密度:NCE2301的最大功率輸出為1W,使其在中低功率應用中表現出色。通過合理的散熱設計,能夠有效地降低工作溫度,延長器件使用壽命。
優異的電氣特性:該MOSFET的特性使其能夠快速開關,降低開關損耗,適應高頻應用場合。其低RDS(on)使得在導通狀態下的電能損失顯著降低,提高系統的整體能效。
寬廣的應用范圍:NCE2301作為P溝道MOSFET,適用于電池管理、充電器、DC-DC轉換、馬達驅動以及其他各種需要電流控制和電壓轉換的應用,是設計工程師的理想選擇。
小型化設計:采用SOT-23封裝,該器件體積小巧,非常適合在空間有限的電路板上使用,尤其是在移動設備和便攜式電子產品中尤為重要。
NCE2301的優良特性使其在多個領域得到了廣泛應用:
NCE2301作為一款高效率、低功耗的P溝道MOSFET,憑借其優越的電氣特性和可靠性,以及小巧的SOT-23封裝設計,為電子工程師提供了更多的設計靈活性。無論是在日常的電源管理,還是在智能設備、高端消費電子領域,NCE2301都能夠發揮其出色的性能,滿足現代電子產品對高效能與穩定性的需求。隨著電子技術的不斷進步,NCE2301將繼續在多個領域中發揮重要作用,助力實現更高效、更智能的電子設備設計。