功率(Pd) | 60W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 160pF |
商品分類 | 場效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,50A |
工作溫度 | -55℃~+175℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 30V | 類型 | 1個N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 2nF@15V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 50A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
NCE3050K是一款高性能的N溝道場效應(yīng)管(MOSFET),其設(shè)計和制造旨在滿足現(xiàn)代高功率電子應(yīng)用的需求。憑借其最大耗散功率可達60W,額定電壓為30V,以及最大連續(xù)電流達到50A,NCE3050K在電源管理、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等多個領(lǐng)域均展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
高電流處理能力:NCE3050K的最大連續(xù)電流為50A,使其非常適合用于高功率的開關(guān)和驅(qū)動應(yīng)用。這一特性使得該產(chǎn)品能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運行,而不必?fù)?dān)心過熱或損壞。
低導(dǎo)通電阻:該MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),通常在幾個毫歐姆的范圍內(nèi),這大幅降低了在工作過程中產(chǎn)生的功率損耗,增加了整體能效。在電氣設(shè)計中,這種低損耗特性幫助減少了熱量的產(chǎn)生,從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
高開關(guān)速度:NCE3050K具有快速的開關(guān)特性,能夠在納秒級別內(nèi)完成開關(guān)動作,這使得它在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。快速開關(guān)的特性有助于提升開關(guān)電源的效率,減少轉(zhuǎn)換損失,從而實現(xiàn)更高效的電能轉(zhuǎn)換。
封裝設(shè)計:NCE3050K采用TO-252-2(DPAK)封裝,具有良好的熱管理性能。這種封裝不僅體積小巧,也方便PCB布局和焊接,同時提高了散熱能力,適合在空間受限的應(yīng)用中使用。其焊盤設(shè)計也確保了良好的電氣連接,減少了焊接故障的風(fēng)險。
NCE3050K MOSFET的廣泛應(yīng)用使其成為各種行業(yè)中的熱門選擇,具體包括:
NCE3050K在性能優(yōu)勢上的突出體現(xiàn)在幾個方面。首先,其優(yōu)越的熱特性意味著系統(tǒng)在高負(fù)載條件下仍能夠保持穩(wěn)定,延長了系統(tǒng)的整體壽命。其次,低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)速度的結(jié)合使得其在能量效率方面超過了許多競品,這在當(dāng)今對節(jié)能減排要求日益增加的市場環(huán)境中,顯得尤為重要。
此外,來自NCE(新潔能)的品牌背書,確保了NCE3050K的質(zhì)量和可靠性。作為一個在市場上已經(jīng)建立了良好聲譽的電子元器件制造商,NCE致力于產(chǎn)品的持續(xù)改進與創(chuàng)新,以應(yīng)對不斷變化的技術(shù)挑戰(zhàn)。
NCE3050K是一款將高電流處理能力、低導(dǎo)通電阻以及快速開關(guān)速度相結(jié)合的高性能N溝道MOSFET,適用于多種高功率電子應(yīng)用,無論是在電源管理、電機控制還是負(fù)載開關(guān)領(lǐng)域都表現(xiàn)卓越。其TO-252-2(DPAK)封裝設(shè)計不僅優(yōu)化了熱管理,還提高了應(yīng)用的靈活性。選擇NCE3050K,意味著選擇了一款高效、穩(wěn)定與可靠的場效應(yīng)管,為電子設(shè)計提供強大的支持和保障。