安裝類型 | 表面貼裝型 | 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 6A(Tc) |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 150 毫歐 @ 500mA,1.5V | 漏源電壓(Vdss) | 12V |
技術 | MOSFET(金屬氧化物) | 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 1275pF @ 6V |
FET 類型 | P 通道 | Vgs(最大值) | ±8V |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值) | 2nC @ 4.5V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Tc) |
SI2333-TP 是一款高性能的 P 型 MOSFET(場效應晶體管),專為高效能、緊湊型電子設計而開發,封裝采用廣泛使用的 SOT-23-3 表面貼裝型。該產品特別適用于要求較高電流處理能力以及較小占用空間的應用環境,例如便攜式設備、電源管理系統以及模擬信號開關等。
SI2333-TP 在多個關鍵參數上表現出色,成為設計工程師在選擇元器件時的優先考慮對象。其最大導通電阻和低柵極電荷(Qg,最大值為 2nC @ 4.5V)確保了其在頻率較高的應用中的快速響應能力,提升了開關頻率和效率。這種元件適用于快速開關電源(SMPS)、DC-DC 轉換器以及各種開關電路。
SI2333-TP 可廣泛應用于各種電子和電力管理系統中,包括:
總之,SI2333-TP 是一款設計優化且功能強大的 P 通道 MOSFET,具有滿足當今電子設備需求的關鍵性能和靈活性。無論是在便攜式應用、開關電源,還是在更復雜的電力管理系統中,SI2333-TP 都能夠為工程師提供高度可靠的解決方案。憑借其優異的性能規格及寬范圍的應用領域,SI2333-TP 是現代電子工程師實時設計的理想選擇。