存儲(chǔ)器類型 | 易失 | 存儲(chǔ)器格式 | DRAM |
技術(shù) | SDRAM - DDR3L | 存儲(chǔ)容量 | 2Gb (128M x 16) |
存儲(chǔ)器接口 | 并聯(lián) | 時(shí)鐘頻率 | 800MHz |
訪問時(shí)間 | 13.75ns | 電壓 - 供電 | 1.283V ~ 1.45V |
工作溫度 | -40°C ~ 95°C(TC) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 96-TFBGA | 供應(yīng)商器件封裝 | 96-FBGA(8x14) |
基本信息
MT41K128M16JT-125 IT:K是鎂光(Micron)公司生產(chǎn)的一款DDR3L SDRAM內(nèi)存芯片,專為高性能的便攜式和嵌入式應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其存儲(chǔ)能力達(dá)到2Gb(128M x 16位),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器的需求。這款DRAM芯片采用96-Pin FBGA封裝,便于表面貼裝,適合在空間有限的設(shè)計(jì)中使用。
存儲(chǔ)器類型與規(guī)格
作為一種易失性存儲(chǔ)器,MT41K128M16JT-125 IT:K依賴于電源供應(yīng)以保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),因此特別適用于對(duì)數(shù)據(jù)持續(xù)性要求不高的應(yīng)用,如臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和高速緩存。其采用DDR3L(低電壓DDR3)技術(shù),提供了高數(shù)據(jù)傳輸速率和低功耗運(yùn)行的優(yōu)點(diǎn)。
性能參數(shù)
該DRAM芯片的時(shí)鐘頻率為800MHz,并具備訪問時(shí)間為13.75ns。這使得它能夠迅速響應(yīng)讀寫請(qǐng)求,顯著提升了整體系統(tǒng)的性能。其電源供電電壓范圍為1.283V至1.45V,適應(yīng)不同的電源管理需求,同時(shí)降低了設(shè)備的能耗,延長(zhǎng)了電池壽命。
工作溫度范圍
MT41K128M16JT-125 IT:K在-40°C至95°C的廣泛工作溫度范圍內(nèi)均能穩(wěn)定工作,適應(yīng)嚴(yán)酷的環(huán)境條件。這一特性使其特別適合在工業(yè)控制、汽車電子和消費(fèi)電子領(lǐng)域等需要在極端條件下運(yùn)行的應(yīng)用。
封裝和安裝
該產(chǎn)品采用96-FBGA(8x14mm)封裝,具有小型化和高集成度的特點(diǎn),符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)空間、性能和成本的要求。表面貼裝類型的設(shè)計(jì)使其能夠方便地集成到各種電路板上,支持自動(dòng)化生產(chǎn),提高了裝配的效率。
應(yīng)用場(chǎng)景
MT41K128M16JT-125 IT:K廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備,包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能設(shè)備的快速發(fā)展,這款DRAM芯片可以為數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)提供有效的解決方案。
總結(jié)
綜上所述,MT41K128M16JT-125 IT:K是鎂光推出的一款高性能、低功耗的DDR3L SDRAM內(nèi)存芯片,憑借2Gb的容量、800MHz的時(shí)鐘頻率及出色的環(huán)境適應(yīng)能力,滿足各種電子產(chǎn)品的需求。其適用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,必將為各種電子設(shè)計(jì)提供所需的可靠存儲(chǔ)解決方案。