制造商 | Micron Technology Inc. | 包裝 | 托盤 |
零件狀態 | 有源 | 存儲器類型 | 易失 |
存儲器格式 | DRAM | 技術 | SDRAM - DDR3L |
存儲容量 | 2Gb(128M x 16) | 存儲器接口 | 并聯 |
電壓 - 供電 | 1.283V ~ 1.45V | 工作溫度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | 96-TFBGA |
供應商器件封裝 | 96-FBGA(8x14) | 時鐘頻率 | 800MHz |
訪問時間 | 13.75ns | 基本產品編號 | MT41K128M16 |
MT41K128M16JT-125:K 是由知名制造商 Micron Technology Inc. 生產的一款高性能 DDR3L SDRAM 芯片。該產品包括 2 Gb(128M x 16)的存儲容量,旨在為各種計算應用提供高效率的內存解決方案。該 DRAM 芯片的設計充分考慮了現代電子設備對快速、高帶寬和低功耗存儲解決方案的需求。
作為一種易失性存儲器,MT41K128M16JT-125:K 采用串行動態隨機存取存儲器(SDRAM)技術,并使用 DDR3L(低電壓版本的 DDR3)架構。這種設計使其能夠在1.283V至1.45V的電壓范圍內穩定運行,特別適合需要低功耗和高性能的移動設備和嵌入式系統。
該 DRAM 芯片具有 800MHz 的時鐘頻率,意味著它能夠處理高達 6400 MT/s 的數據傳輸速度。此外,它的訪問時間為 13.75ns,可以在極短的時間內訪問數據,從而提高整體系統性能。DDR3L 標準的應用,尤其在低功耗模式下,也有助于延長電池供電設備的使用時間。
MT41K128M16JT-125:K 芯片采用 96-TFBGA(Thin Fine Ball Grid Array)封裝形式,尺寸為 8x14 mm,便于在表面貼裝類型的電路板上安裝。該封裝具有較小的占板面積,適合現代緊湊型電子設備的設計需求,廣泛應用于手機、平板電腦、筆記本電腦、消費電子和工業設備等領域。
此芯片的工作溫度范圍為 0°C 至 95°C(TC),使其在多種環境條件下均能保持穩定性能。這種寬溫度范圍的設計,特別適合于那些在極端溫度條件下仍需可靠運行的應用場景。
MT41K128M16JT-125:K 的高性能特性使其適合多種應用場景,包括:
MT41K128M16JT-125:K DRAM 芯片是適應現代計算需求的出色組件,憑借其高效的性能、靈活的工作范圍和緊湊的封裝設計,為設計師和開發者提供了可靠的解決方案,無論是在消費電子還是工業應用中,均能夠實現卓越的性能表現。由于其低功耗特性和高帶寬需求,這款產品在當前和未來科技發展中都有廣泛的影響及應用潛力。