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MT41K128M16JT-125:K 產品實物圖片
MT41K128M16JT-125:K 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格數據手冊

MT41K128M16JT-125:K

商品編碼: BM69418235
品牌?:?
micron(鎂光)
封裝?:?
144-μBGA(18.5x11)
包裝?:?
-
重量?:?
-
描述?:?
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
庫存 :
76(起訂量1,增量1)
批次 :
2年內
數量 :
X
10.23
按整 :
-(1-有2000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥10.23
--
100+
¥8.83
--
1000+
¥8.4
--
20000+
產品參數
產品手冊
產品概述

MT41K128M16JT-125:K參數

制造商Micron Technology Inc.包裝托盤
零件狀態有源存儲器類型易失
存儲器格式DRAM技術SDRAM - DDR3L
存儲容量2Gb(128M x 16)存儲器接口并聯
電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V工作溫度0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型表面貼裝型封裝/外殼96-TFBGA
供應商器件封裝96-FBGA(8x14)時鐘頻率800MHz
訪問時間13.75ns基本產品編號MT41K128M16

MT41K128M16JT-125:K手冊

MT41K128M16JT-125:K概述

產品概述:MT41K128M16JT-125:K

基本信息

MT41K128M16JT-125:K 是由知名制造商 Micron Technology Inc. 生產的一款高性能 DDR3L SDRAM 芯片。該產品包括 2 Gb(128M x 16)的存儲容量,旨在為各種計算應用提供高效率的內存解決方案。該 DRAM 芯片的設計充分考慮了現代電子設備對快速、高帶寬和低功耗存儲解決方案的需求。

存儲類型與結構

作為一種易失性存儲器,MT41K128M16JT-125:K 采用串行動態隨機存取存儲器(SDRAM)技術,并使用 DDR3L(低電壓版本的 DDR3)架構。這種設計使其能夠在1.283V至1.45V的電壓范圍內穩定運行,特別適合需要低功耗和高性能的移動設備和嵌入式系統。

性能參數

該 DRAM 芯片具有 800MHz 的時鐘頻率,意味著它能夠處理高達 6400 MT/s 的數據傳輸速度。此外,它的訪問時間為 13.75ns,可以在極短的時間內訪問數據,從而提高整體系統性能。DDR3L 標準的應用,尤其在低功耗模式下,也有助于延長電池供電設備的使用時間。

封裝和安裝

MT41K128M16JT-125:K 芯片采用 96-TFBGA(Thin Fine Ball Grid Array)封裝形式,尺寸為 8x14 mm,便于在表面貼裝類型的電路板上安裝。該封裝具有較小的占板面積,適合現代緊湊型電子設備的設計需求,廣泛應用于手機、平板電腦、筆記本電腦、消費電子和工業設備等領域。

工作環境

此芯片的工作溫度范圍為 0°C 至 95°C(TC),使其在多種環境條件下均能保持穩定性能。這種寬溫度范圍的設計,特別適合于那些在極端溫度條件下仍需可靠運行的應用場景。

應用場景

MT41K128M16JT-125:K 的高性能特性使其適合多種應用場景,包括:

  1. 消費電子: 適用于智能手機、平板電腦和其他便攜式設備,具備良好的能效和性能平衡。
  2. 計算機系統: 可用于電腦主板和超便攜式筆記本電腦,提升系統響應速度和多任務處理能力。
  3. 網絡設備: 在路由器、交換機和其他網絡硬件中提供必要的系統內存,保障數據交換的順暢。
  4. 工業應用: 在監控系統和自動化設備中,提供必要的數據存儲和快速讀取能力。

總結

MT41K128M16JT-125:K DRAM 芯片是適應現代計算需求的出色組件,憑借其高效的性能、靈活的工作范圍和緊湊的封裝設計,為設計師和開發者提供了可靠的解決方案,無論是在消費電子還是工業應用中,均能夠實現卓越的性能表現。由于其低功耗特性和高帶寬需求,這款產品在當前和未來科技發展中都有廣泛的影響及應用潛力。