存儲(chǔ)器類型 | 非易失 | 存儲(chǔ)器格式 | 閃存 |
技術(shù) | FLASH - NOR | 存儲(chǔ)容量 | 8Mb (1M x 8) |
存儲(chǔ)器接口 | SPI | 時(shí)鐘頻率 | 104MHz |
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè) | 3ms | 電壓 - 供電 | 2.7V ~ 3.6V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.209",5.30mm 寬) | 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC |
W25Q80DVSSIG是由華邦電子(Winbond)生產(chǎn)的一款高性能8Mb(1M x 8)非易失性NOR閃存存儲(chǔ)器。該器件采用SPI(串行外設(shè)接口)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,具有高達(dá)104MHz的時(shí)鐘頻率,特別適合需要高速存儲(chǔ)和讀取的應(yīng)用場(chǎng)景。W25Q80DVSSIG在高溫和低溫環(huán)境下均能穩(wěn)定工作,工作溫度范圍為-40°C至85°C,滿足各種惡劣環(huán)境的需求。
作為一種非易失性存儲(chǔ)器,W25Q80DVSSIG能在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù),適用于各種需要保留數(shù)據(jù)的應(yīng)用,如數(shù)據(jù)記錄、設(shè)置存儲(chǔ)及固件升級(jí)等。FLASH - NOR技術(shù)使得該器件在數(shù)據(jù)讀取時(shí)具有較快的速率和較高的靈活性,由于其隨機(jī)存取的特性,可以在不需要先擦除的情況下直接寫入新數(shù)據(jù),大大提高了操作的便利性和效率。
W25Q80DVSSIG的存儲(chǔ)容量為8Mb,意味著其可以存儲(chǔ)1M字節(jié)的數(shù)據(jù)(每字節(jié)包含8位數(shù)據(jù))。設(shè)備的寫周期時(shí)間為3ms,這使得它在需要快速寫入操作的應(yīng)用中也具備了良好的響應(yīng)時(shí)間。此外,該閃存的供電電壓范圍為2.7V至3.6V,適應(yīng)了較廣泛的電源設(shè)計(jì)需求,同時(shí)也具備低功耗特性,適合移動(dòng)設(shè)備和低功耗應(yīng)用場(chǎng)合。
該設(shè)備的工作溫度范圍為-40°C至85°C,適合各種工業(yè)、醫(yī)療和汽車電子等應(yīng)用場(chǎng)合,確保在極端環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。這一特性使得W25Q80DVSSIG成為溫度敏感應(yīng)用的理想選擇。
W25Q80DVSSIG采用8-SOIC(0.209"寬度,5.30mm)封裝,適合表面貼裝(SMD)技術(shù),便于在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中進(jìn)行快速組裝和焊接。小巧的封裝設(shè)計(jì)不僅節(jié)省了PCB空間,同時(shí)也保障了良好的散熱性能。
W25Q80DVSSIG廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,包括:
W25Q80DVSSIG以其高性能的讀取和寫入速率,廣泛的工作溫度范圍,以及適應(yīng)低電壓的優(yōu)點(diǎn),成為市場(chǎng)上極具競(jìng)爭(zhēng)力的閃存存儲(chǔ)器。無論是在高溫還是低溫環(huán)境中,W25Q80DVSSIG穩(wěn)健的性能和可靠的數(shù)據(jù)保留能力,使它在各種電子應(yīng)用中均有著廣泛的適用性和發(fā)展前景。其優(yōu)越的性價(jià)比和可靠性,使得設(shè)計(jì)工程師能夠更靈活地選擇合適的存儲(chǔ)解決方案,助力創(chuàng)新型電子產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)。