功率(Pd) | 2W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 96pF |
商品分類 | 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@4.5V,4A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 22.9nC@20V |
漏源電壓(Vdss) | 40V | 類型 | 1個(gè)N溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 964pF@20V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 9A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
NCE4009S 是由新潔能(NCE)推出的一款增強(qiáng)型 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),封裝形式為 SOIC-8。這款 MOSFET 具有額定功率 2W、最大工作電壓 40V 和最大電流 9A,適合用于各種低能耗、高效率的電子應(yīng)用中。其優(yōu)秀的性能使其成為開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、LED 驅(qū)動(dòng)和其他各種功率管理應(yīng)用的理想選擇。
高電流承受能力:NCE4009S 最大可承受 9A 的持續(xù)電流,非常適合在需要高電流驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)合使用。這使得它在電機(jī)控制和其他高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
高電壓耐受能力:該 MOSFET 具有 40V 的最大工作電壓,能夠應(yīng)對(duì)大多數(shù)常見的電源電壓,提升了電路的設(shè)計(jì)靈活性。
低 RDS(on):NCE4009S 在開啟狀態(tài)下具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這意味著在導(dǎo)通時(shí)能量損失小,功率效率高。這一特性在降低發(fā)熱量和提高系統(tǒng)整體效率方面尤為關(guān)鍵。
快速開關(guān)特性:該器件的快速開關(guān)性能使其在開關(guān)頻率較高的應(yīng)用中表現(xiàn)良好。快速開關(guān)特性有助于減少開關(guān)損耗,適用于開關(guān)電源和高頻變換器。
SOIC-8 封裝:SOIC-8 封裝不僅能夠提供較小的占地面積,同時(shí)還具有良好的散熱性能,便于在空間有限的電路設(shè)計(jì)中使用。
NCE4009S MOSFET 可廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括:
開關(guān)電源:由于其高效能和低損耗的特性,適用于多種開關(guān)電源設(shè)計(jì),包括適配器和電源模塊。
馬達(dá)驅(qū)動(dòng):其高電流承受能力及快速開關(guān)特性,非常契合用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)控制等領(lǐng)域。
LED 驅(qū)動(dòng):適用于LED照明中的恒流轉(zhuǎn)換器,提供有效的電流控制和高效率。
電源管理:在各種便攜設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,用于功率開關(guān)和電源管理電路。
參數(shù) | 值 |
---|---|
封裝類型 | SOIC-8 |
N 溝道 MOSFET | 是 |
最大電流 | 9A |
最大電壓 | 40V |
最大功耗 | 2W |
RDS(on) | 低 |
開關(guān)速度 | 快 |
在使用 NCE4009S 時(shí),設(shè)計(jì)師應(yīng)注意以下幾點(diǎn):
散熱管理:盡管該元器件的導(dǎo)通電阻較低,但在高電流條件下仍然可能產(chǎn)生顯著的熱量,因此需要充分的散熱設(shè)計(jì)。
驅(qū)動(dòng)電路:確保MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電壓和電流,以保證其能夠以較快的速度開啟和關(guān)閉,以便優(yōu)化開關(guān)損耗。
應(yīng)用場(chǎng)景:根據(jù)具體應(yīng)用的需求,適當(dāng)選擇保護(hù)電路,以應(yīng)對(duì)可能的過壓和過流情況,確保產(chǎn)品的可靠性。
NCE4009S 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,憑借其出色的電氣特性和封裝設(shè)計(jì),成為了現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要組成部分。無論是在開關(guān)電源、馬達(dá)控制還是其他功率管理領(lǐng)域,NCE4009S 都為設(shè)計(jì)師提供了理想的解決方案,以滿足高效、可靠和緊湊的設(shè)計(jì)需求。