BSS806NH6327XTSA1
BSS806NH6327XTSA1參數(shù)
| FET 類型 | N 通道 | 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 20V | 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，2.5V | 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） | 57 毫歐 @ 2.3A，2.5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 750mV @ 11μA | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 1.7nC @ 2.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 529pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS806NH6327XTSA1手冊
BSS806NH6327XTSA1概述
BSS806NH6327XTSA1 產(chǎn)品概述
產(chǎn)品名稱: BSS806NH6327XTSA1
品牌: Infineon (英飛凌)
類型: N 通道 MOSFET
封裝: SOT-23-3
一、產(chǎn)品背景
BSS806NH6327XTSA1 是 Infineon 提供的一款 N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），作為高性能電子開關(guān)，其在電源管理和信號調(diào)節(jié)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。MOSFET 的優(yōu)越性能使其成為電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中的理想選擇。
二、基本參數(shù)
漏源電壓 (Vdss): 該器件支持的最大漏源電壓為 20V，使其適合低壓應(yīng)用，可靠性高。
最大連續(xù)漏極電流 (Id): 在 25°C 的環(huán)境條件下，BSS806NH6327XTSA1 具備最高 2.3A 的連續(xù)漏極電流，確保在中等負(fù)載條件下穩(wěn)定工作。
驅(qū)動電壓: 在 1.8V 至 2.5V 的驅(qū)動電壓范圍內(nèi)，該器件可提供最小的導(dǎo)通電阻（Rds On），使得功耗更低，提升了系統(tǒng)效率。
導(dǎo)通電阻 (Rds On): 在 2.3A 和 2.5V 的條件下，最大導(dǎo)通電阻為 57 毫歐，表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗，使得該器件能夠高效地傳遞電流。
柵極閾值電壓 (Vgs(th)): 最大值為 750mV（在 11μA 時），該特性對于提升開關(guān)速度和降低開關(guān)損耗至關(guān)重要。
柵極電荷 (Qg): 在 2.5V 的柵極電壓下，最大柵極電荷為 1.7nC，這表示該 MOSFET 在切換時所需的驅(qū)動能量較小，能夠有效降低驅(qū)動電路的復(fù)雜性。
輸入電容 (Ciss): 在 10V 時，輸入電容最大值為 529pF，有助于提高電路的響應(yīng)速度和降低開關(guān)延遲。
工作溫度范圍: 器件的工作溫度范圍為 -55°C 到 150°C，使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
功率耗散: 最大功率耗散為 500mW（在 25°C 環(huán)境條件下），這個參數(shù)確保了該組件在高負(fù)載條件下的安全性和可靠性。
三、應(yīng)用
BSS806NH6327XTSA1 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
電源管理: 適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、LED 驅(qū)動器等電源管理應(yīng)用中，通過高效率的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，提升整體系統(tǒng)性能。
負(fù)載開關(guān)控制: 由于其快速切換特性，理想用于各種負(fù)載開關(guān)電路，如電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)自動化。
信號開關(guān)應(yīng)用: 在各種信號處理和控制電路中，BSS806NH6327XTSA1 也表現(xiàn)出色，滿足快速開關(guān)的需求。
四、優(yōu)點(diǎn)
高效率: 低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力使其在各類應(yīng)用中提供高效率，降低系統(tǒng)能量損失。
可靠性高: 寬廣的工作溫度范圍和較高的功率耗散能力使其適合在各種工況下使用。
小型封裝: SOT-23-3 封裝使得其在空間受限的電路板上也能輕松集成，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化設(shè)計(jì)的要求。
五、總結(jié)
BSS806NH6327XTSA1 是一款性能卓越的小型 N 通道 MOSFET，具備良好的電氣特性和廣泛的應(yīng)用潛力，非常適合高效能電源管理及開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，確保了在各種條件下的穩(wěn)定性能，是設(shè)計(jì)師和工程師在開發(fā)新一代電子產(chǎn)品時值得考慮的理想選擇。