功率(Pd) | 3.5W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 268pF |
商品分類 | 場效應(yīng)管(MOSFET) | 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V,15A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 65nC |
漏源電壓(Vdss) | 30V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 3.96nF@15V | 連續(xù)漏極電流(Id) | 25A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
NCE30P25S是一款高性能P溝道場效應(yīng)管(MOSFET),其最大功率額定為3.5W,工作電壓可達(dá)到30V,持續(xù)電流可達(dá)到25A。作為新潔能(NCE)品牌的一員,該產(chǎn)品以其卓越的特性和可靠性,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其SOIC-8封裝形式使得該產(chǎn)品在電路板設(shè)計中占用空間小,易于安裝,為設(shè)計工程師提供了極大的便利。
高功率承載能力: NCE30P25S最大功率達(dá)到3.5W,能夠在多種應(yīng)用中提供充足的功率支持,適用于要求較高功率的電路。
寬工作電壓范圍: 該MOSFET的最大工作電壓為30V,適合于多種低壓電源管理應(yīng)用,確保在正常工作范圍內(nèi)運行穩(wěn)定。
出色的電流能力: 該器件的持續(xù)電流允許值達(dá)到25A,可滿足高電流負(fù)載的驅(qū)動需求,在大功率應(yīng)用中具有較高的可靠性。
SOIC-8封裝: SOIC-8封裝(150mil)設(shè)計使得NCE30P25S適合于表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動化生產(chǎn),同時小巧的尺寸亦減少了電路板的占用空間,適應(yīng)緊湊型設(shè)計需求。
高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻: 該MOSFET具備良好的開關(guān)特性,可以在高速開關(guān)應(yīng)用中有效降低功耗,實現(xiàn)更高的效率。低導(dǎo)通電阻(Rds(on))特性降低了在開關(guān)狀態(tài)下的功耗,從而提高整體電路的效率。
熱穩(wěn)定性: NCE30P25S在一定的工作溫度范圍內(nèi)仍能保持良好的性能,適用于變溫環(huán)境下的各種應(yīng)用。
憑借其優(yōu)秀的規(guī)格和性能,NCE30P25S被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于:
在使用NCE30P25S時,設(shè)計工程師需要關(guān)注MOSFET的冷卻設(shè)計,確保設(shè)備在高負(fù)載工作時不會過熱。還需注意優(yōu)化PCB布局以降低寄生電感影響,以實現(xiàn)最佳的開關(guān)性能。
此外,由于其為P溝道器件,選擇合適的驅(qū)動電路尤為重要,以確保其在不同工作狀態(tài)下能夠快速響應(yīng),減少開關(guān)延遲,提高整體電路效率。
總之,NCE30P25S是一款出色的P溝道MOSFET,憑借其高功率、高電流及良好熱穩(wěn)定性,在多個領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用潛力。其優(yōu)越的性能和穩(wěn)健的設(shè)計使其成為電子工程師在高效功率管理和控制設(shè)計中的優(yōu)選元器件。無論是開關(guān)電源還是電動機控制,NCE30P25S都能幫助設(shè)計師實現(xiàn)更加高效和可靠的電路設(shè)計。