驅動配置 | 低端 | 通道類型 | 獨立式 |
驅動器數 | 2 | 柵極類型 | IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET |
電壓 - 供電 | 4.5V ~ 35V | 邏輯電壓?- VIL,VIH | 0.8V,3V |
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出) | 2A,2A | 輸入類型 | 非反相 |
上升/下降時間(典型值) | 7.5ns,6.5ns | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商器件封裝 | 8-SOIC |
IXDN602SIATR 是一款高效的低端柵極驅動器,專為支持各種功率轉換應用而設計。該驅動器采用了表面貼裝型 SOIC-8 封裝,便于在緊湊的電子電路中集成與安裝。作為一個雙通道的 gate driver,IXDN602SIATR 可以同時驅動兩個獨立式的 MOSFET 或 IGBT,這使其在功率管理、電機驅動、開關電源等應用中表現出色。
IXDN602SIATR 的工作電壓范圍為 4.5V 到 35V,滿足多種工業電路的供電需求。其邏輯電平輸入 (VIL 和 VIH) 為 0.8V 和 3V,使得這種驅動器與大多數邏輯電路兼容,能夠輕松與微控制器或數字信號處理器配合工作。支持 2A 的峰值輸出電流 (同時支持灌入和拉出),使得其能夠迅速充放電與驅動外部器件,降低開關損耗,從而提高了整體電路的效率。
該產品的上升和下降時間分別為 7.5ns 和 6.5ns,這意味著 IXDN602SIATR 能夠在高頻操作時有效地降低電容效應引起的延遲,確保開關動作快速、準確。這對需要高響應速率的應用(如逆變器、電源轉換器和電機控制)尤為重要。
IXDN602SIATR 具有 -55°C 到 150°C 的廣泛工作溫度范圍,確保在惡劣的環境條件下依然保持良好的性能。這使得該驅動器非常適合于航空航天、汽車及工業自動化等領域,這些領域通常要求電子元件在極端溫度下仍需穩定運行。
該驅動器采用 8-SOIC 封裝,尺寸為 0.154"(3.90mm 寬),其緊湊的設計使得 IXDN602SIATR 容易集成到各種電路板設計中。采用表面貼裝技術(SMT),不僅提高了可靠性,還有助于提升生產效率與降低整體組裝成本。
IXDN602SIATR 的應用范圍極其廣泛,包括但不限于:
同時,該器件的靈活性和高性能使其成為眾多電力電子應用中的理想選擇。
總體而言,IXDN602SIATR 是一款應用廣泛的低端柵極驅動器,其卓越的性能參數與廣泛的工作環境兼容性,確保其能在各種電源管理和驅動應用中發揮出色的作用。憑借其高效的開關轉換性能和耐用性,IXDN602SIATR 是尋求可靠解決方案的設計工程師們的優選器件。無論是在高頻運作中依然能保持低延遲,還是在惡劣的環境條件下確保穩定工作,IXDN602SIATR 都能夠勝任高需求的電子應用。