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IS61WV25616BLL-10TLI 產品實物圖片
IS61WV25616BLL-10TLI 產品實物圖片
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注:圖像僅供參考,請參閱產品規格

IS61WV25616BLL-10TLI

商品編碼: BM0000038103
品牌?:?
ISSI(美國芯成)
封裝?:?
44-TSOP II
包裝?:?
托盤
重量?:?
1.378g
描述?:?
靜態隨機存取存儲器(SRAM) -40℃~+85℃ 4Mbit 2.4V~3.6V TSOPII-44
庫存 :
4(起訂量1,增量1)
批次 :
5年內
數量 :
X
14.1
按整 :
托盤(1托盤有135個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥14.1
--
2700+
產品參數
產品手冊
產品概述

IS61WV25616BLL-10TLI參數

存儲器類型易失存儲器格式SRAM
技術SRAM - 異步存儲容量4Mb (256K x 16)
存儲器接口并聯寫周期時間 - 字,頁10ns
訪問時間10ns電壓 - 供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)供應商器件封裝44-TSOP II

IS61WV25616BLL-10TLI手冊

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無數據

IS61WV25616BLL-10TLI概述

IS61WV25616BLL-10TLI 產品概述

概述

IS61WV25616BLL-10TLI是一款高性能的靜態隨機存取存儲器(SRAM),由美國品牌ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生產。該器件具備4Mbit的存儲容量,具備256K x 16的存儲組織形式,特別設計用于需要快速存儲和讀取的應用場合。其優異的技術特性和寬廣的工作溫度范圍使其成為各種電子產品中的理想選擇。

基礎參數

  • 存儲器類型: 易失性 (Volatile)
  • 存儲器格式: SRAM(靜態隨機存取存儲器)
  • 技術類型: 異步SRAM
  • 存儲容量: 4Mb(256K x 16位)
  • 存儲器接口: 并行接口
  • 寫周期時間: 10ns(以字為單位)
  • 訪問時間: 10ns
  • 供電電壓: 2.4V ~ 3.6V
  • 工作溫度范圍: -40°C ~ 85°C
  • 安裝類型: 表面貼裝型
  • 封裝形式: 44-TSOP II(0.400英寸,10.16mm寬)

關鍵技術特性

IS61WV25616BLL-10TLI采用高性能的異步SRAM技術,具有快速的訪問時間和寫周期時間,各為10ns。這使得該器件在數據處理和存取時的延遲大大降低,提升了整體系統的響應速度和性能。并行接口設計簡化了系統的連接,并易于與各種處理器和控制器進行接口。

電壓和溫度穩定性

該SRAM器件的供電電壓范圍為2.4V ~ 3.6V,能夠適應多種不同的電源設計要求。此外,IS61WV25616BLL-10TLI的工作溫度范圍從-40°C到85°C,意味著該器件能夠在極端的環境條件下可靠運行。這種高溫度穩定性使其非常適合軍事、工業和汽車應用,滿足嚴苛工作條件下的需求。

封裝和安裝

IS61WV25616BLL-10TLI采用44-TSOP II封裝,使其適合需要小占板面積的設計。表面貼裝的設計使安裝過程更加簡便,能夠快速集成到電路板中。此外,這種封裝形式有助于提高電路的信號完整性和減少安裝引起的電磁干擾。

應用場景

IS61WV25616BLL-10TLI適用于多種應用,包括但不限于:

  • 網絡設備(如路由器和交換機)
  • 工業控制系統
  • 消費類電子產品(如家用電器、智能設備)
  • 汽車電子(如導航系統和車載信息娛樂系統)
  • 嵌入式系統
  • 便攜式設備

結論

綜上所述,IS61WV25616BLL-10TLI以其出色的性能參數和寬廣的應用場景,成為高效存儲解決方案中的佼佼者。適用于各種嚴苛條件與高需求的應用,它的出現為開發者提供了靈活且可靠的存儲選擇。在設計您的下一代電子產品時,考慮引入IS61WV25616BLL-10TLI,能夠有效提升系統的整體性能與可靠性。