存儲器類型 | 易失 | 存儲器格式 | SRAM |
技術 | SRAM - 異步 | 存儲容量 | 4Mb (256K x 16) |
存儲器接口 | 并聯 | 寫周期時間 - 字,頁 | 10ns |
訪問時間 | 10ns | 電壓 - 供電 | 2.4V ~ 3.6V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) | 供應商器件封裝 | 44-TSOP II |
IS61WV25616BLL-10TLI是一款高性能的靜態隨機存取存儲器(SRAM),由美國品牌ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生產。該器件具備4Mbit的存儲容量,具備256K x 16的存儲組織形式,特別設計用于需要快速存儲和讀取的應用場合。其優異的技術特性和寬廣的工作溫度范圍使其成為各種電子產品中的理想選擇。
IS61WV25616BLL-10TLI采用高性能的異步SRAM技術,具有快速的訪問時間和寫周期時間,各為10ns。這使得該器件在數據處理和存取時的延遲大大降低,提升了整體系統的響應速度和性能。并行接口設計簡化了系統的連接,并易于與各種處理器和控制器進行接口。
該SRAM器件的供電電壓范圍為2.4V ~ 3.6V,能夠適應多種不同的電源設計要求。此外,IS61WV25616BLL-10TLI的工作溫度范圍從-40°C到85°C,意味著該器件能夠在極端的環境條件下可靠運行。這種高溫度穩定性使其非常適合軍事、工業和汽車應用,滿足嚴苛工作條件下的需求。
IS61WV25616BLL-10TLI采用44-TSOP II封裝,使其適合需要小占板面積的設計。表面貼裝的設計使安裝過程更加簡便,能夠快速集成到電路板中。此外,這種封裝形式有助于提高電路的信號完整性和減少安裝引起的電磁干擾。
IS61WV25616BLL-10TLI適用于多種應用,包括但不限于:
綜上所述,IS61WV25616BLL-10TLI以其出色的性能參數和寬廣的應用場景,成為高效存儲解決方案中的佼佼者。適用于各種嚴苛條件與高需求的應用,它的出現為開發者提供了靈活且可靠的存儲選擇。在設計您的下一代電子產品時,考慮引入IS61WV25616BLL-10TLI,能夠有效提升系統的整體性能與可靠性。