制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 包裝 | 托盤 |
零件狀態 | 有源 | 存儲器類型 | 易失 |
存儲器格式 | SRAM | 技術 | SRAM - 異步 |
存儲容量 | 8Mb(512K x 16) | 存儲器接口 | 并聯 |
寫周期時間 - 字,頁 | 10ns | 電壓 - 供電 | 2.4V ~ 3.6V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 44-TSOP(0.400"",10.16mm 寬) | 供應商器件封裝 | 44-TSOP II |
訪問時間 | 10ns |
基本信息
IS61WV51216BLL-10TLI 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)制造的一款 8Mb(512K x 16 位)異步 SRAM(靜態隨機存取存儲器)集成電路。該產品廣泛應用于需要快速存儲和處理數據的領域,如通信設備、計算機、工業控制以及消費電子產品等。它結合了先進的制造工藝和高效的設計理念,提供卓越的性能和可靠性。
產品特性
存儲容量:IS61WV51216BLL-10TLI 提供 8Mb 的存儲容量,適合需要中等存儲容量的應用。這一容量能夠滿足大多數中低速應用的需求,且存儲格式為 512K x 16 位,使其在數據處理過程中具備了良好的靈活性。
工作電壓:該 SRAM 工作在 2.4V 至 3.6V 的電壓范圍內,支持低功耗操作,適合電池供電的便攜式設備。低電壓操作對延長設備的使用壽命及提高能效尤為重要。
訪問速度:該器件具有 10ns 的訪問時間,能夠實現快速的數據讀取和寫入。因此,它特別適用于對處理速度有較高要求的應用場景,比如高速緩存存儲、數據緩沖及圖像處理等。
工作溫度范圍:IS61WV51216BLL-10TLI 的工作溫度范圍從 -40°C 到 85°C,能夠適應惡劣的環境條件。這樣的設計使得該產品能夠在汽車電子、工業自動化及其他嚴苛環境下穩定運行。
封裝及安裝方式:該器件采用表面貼裝型(SMT)封裝,封裝形式為 44-TSOP II,尺寸為 10.2mm。該子系統的緊湊設計可有效節省電路板空間,并滿足高密度電路設計的需求。
并行接口:IS61WV51216BLL-10TLI 支持并行數據接口,使得數據傳輸更加高效,對于高帶寬應用尤為重要。并行接口的設計有助于簡化電路連接,提高整體設計的靈活性。
應用領域
IS61WV51216BLL-10TLI 由于其優秀的性能特點,適用于多種領域,包括但不限于:
總結
IS61WV51216BLL-10TLI 是一款高性能、低功耗的 SRAM 存儲器,具備速度快、能耗低和高穩定性的特點。其廣泛的應用范圍使得它成為現代電子設計中不可或缺的基礎元件。對于開發者和工程師而言,選擇這樣一款優質的 SRAM,可以大幅提升產品的性能,并在激烈的市場競爭中占據優勢。無論是用于新應用的開發還是現有系統的升級,IS61WV51216BLL-10TLI 都能為客戶提供可靠的解決方案。