制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 包裝 | 托盤 |
零件狀態 | 不適用于新設計 | 存儲器類型 | 易失 |
存儲器格式 | DRAM | 技術 | SDRAM |
存儲容量 | 256Mb(16M x 16) | 存儲器接口 | 并聯 |
時鐘頻率 | 143 MHz | 訪問時間 | 5.4 ns |
電壓 - 供電 | 3V ~ 3.6V | 工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) |
供應商器件封裝 | 54-TSOP II |
IS42S16160G-7TLI 是由 Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI) 生產的一款高性能動態隨機存取存儲器 (DRAM)。作為一款256Mb (16M x 16) 的 SDRAM,IS42S16160G-7TLI 主要用于需要高速度和高效率的應用場景,如網絡設備、打印機、圖像處理器和各類嵌入式系統等。該產品的設計旨在滿足快速數據傳輸和存儲需求,確保數據訪問的高帶寬和可靠性。
存儲容量與結構:IS42S16160G-7TLI 提供256Mb的存儲容量,其內部結構為16M x 16位,這意味著每次讀取或寫入可以處理16位數據,使得在多個應用中的數據吞吐能力得到極大提高。
高時鐘頻率:本產品的時鐘頻率為143MHz,能夠支持快速的讀寫操作,降低數據延遲。這使得在需要快速數據響應的應用中表現優異,比如實時數據處理。
訪問時間:訪問時間為5.4納秒,意味著存儲器能夠快速響應外部請求,大幅改善數據讀寫的效率。一旦數據存儲請求發出,DRAM能夠在短時間內提供所需數據,適合高速緩存和高性能計算平臺。
供電電壓:IS42S16160G-7TLI 的工作電壓范圍在3V至3.6V之間,此設計使得產品具備較好的兼容性,適合多種常見電子電路和系統設計。相較于老舊內存,較低的供電需求也有助于降低功耗。
工作溫度范圍:該產品能夠在-40°C到85°C的環境下穩定工作,適合各種嚴苛環境的應用。這使得 IS42S16160G-7TLI 特別適合軍事、工業自動化及汽車電子等領域。
安裝類型與封裝:采用表面貼裝技術(SMD),封裝形式為54-TSOP II,這種設計不僅可以節省板上空間,還便于高效的自動化生產。其高度集成的設計適應于空間受限的電子設備中,方便制造商優化其產品設計。
IS42S16160G-7TLI 廣泛應用于各種電子產品中,尤其是計算機系統的主存儲器或圖形卡中的高速緩存。由于其高速訪問、低功耗及高可靠性,它非常適用于以下領域:
綜合而言,IS42S16160G-7TLI 的設計和技術特點使其成為一款極具競爭力的選擇,適合各種需要高性能內存解決方案的應用。然而,需注意的是該零件狀態為“不適用于新設計”,這通常意味著該產品可能已經停產或存在更先進的替代品供開發者使用。在選擇時應考慮未來的可持續性與支持情況。