CRSS052N08N 產(chǎn)品概述

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CRSS052N08N 是由華潤(rùn)微電子（CRMICRO）設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），封裝采用TO-263形式。這款MOSFET 具有出色的電流承載能力和低功耗特性，廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)及其他高效能電路中。憑借174W的功率處理能力、85V的最高漏極源極電壓和120A的脈沖電流能力，CRSS052N08N 是高性能應(yīng)用的理想選擇。

主要參數(shù)

• 類型: N溝道 MOSFET
• 最大漏極源極電壓 (V_DS): 85V
• 最大電流 (I_D): 120A
• 功率損耗 (P_D): 174W
• 封裝類型: TO-263
• 開(kāi)關(guān)損耗: 低
• 導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)): 低

主要特點(diǎn)

1. 高電流承載能力: 該MOSFET能夠承受高達(dá)120A的脈沖電流，適合高負(fù)載應(yīng)用，使其能夠在苛刻條件下穩(wěn)定工作。
2. 低導(dǎo)通電阻: 具備極低的導(dǎo)通電阻，在運(yùn)作時(shí)能夠最大限度地減少功耗，提升整體效率，優(yōu)化熱管理，同時(shí)降低散熱需求。
3. 高阻壓: 85V的漏極源極電壓使其適用于較高電壓的電源電路，滿足多種應(yīng)用需求。
4. 有效的熱管理: TO-263封裝具備優(yōu)越的散熱性能，確保器件在高負(fù)載運(yùn)行時(shí)的熱性能表現(xiàn)良好，降低故障風(fēng)險(xiǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域

CRSS052N08N MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

• 開(kāi)關(guān)電源: 適合各種電源管理應(yīng)用，包括AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換與調(diào)節(jié)。
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng): 適用于步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)的控制，能夠滿足電流和響應(yīng)速度的要求。
• 功率放大器: 在音頻或射頻放大器中使用，提供優(yōu)秀的線性性能及高效率。
• 電池管理系統(tǒng): 在電池充放電控制中運(yùn)用，實(shí)現(xiàn)高效的電流流通及保護(hù)功能。

功能與優(yōu)勢(shì)

• 提高能效: 通過(guò)采用CRSS052N08N，設(shè)計(jì)工程師能夠大幅提升系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)化效率，從而減少運(yùn)營(yíng)成本。
• 穩(wěn)定性與可靠性: 鼓勵(lì)使用該MOSFET的設(shè)計(jì)確保系統(tǒng)具有較高的穩(wěn)定性和可靠性，即使在高溫和高負(fù)載情況下也能正常工作。
• 靈活的設(shè)計(jì)選項(xiàng): TO-263封裝使其提供更大的布局靈活性，易于與多種電路設(shè)計(jì)兼容，便利了集成設(shè)計(jì)。

結(jié)論

CRSS052N08N是一款高性能的N溝道MOSFET，以其卓越的電氣性能和良好的熱管理，成為電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無(wú)論是在開(kāi)關(guān)電源，電機(jī)驅(qū)動(dòng)還是電池管理系統(tǒng)中，該產(chǎn)品均展現(xiàn)出優(yōu)秀的功率處理能力和高能效表現(xiàn)。適用于高負(fù)載和高溫度環(huán)境的應(yīng)用，確保用戶在設(shè)計(jì)過(guò)程中提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。選擇CRSS052N08N，以賦能您的下一代電子設(shè)備，助力實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)目標(biāo)。