BSS84PH6327XTSA2
BSS84PH6327XTSA2參數(shù)
| FET 類型 | P 通道 | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 60V | 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 170mA（Ta） |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 8 歐姆 @ 170mA，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20μA | 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 1.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 19pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | 供應商器件封裝 | SOT-23-3 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS84PH6327XTSA2手冊
BSS84PH6327XTSA2概述
產品概述：BSS84PH6327XTSA2
概述
BSS84PH6327XTSA2 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（絕緣柵場效應管），由著名半導體制造商 Infineon（英飛凌）生產。該器件采用表面貼裝型 SOT-23-3 封裝，具有廣泛的應用前景，適用于各種電子電路及設備中，尤其是在功率管理和開關電路中具有顯著的優(yōu)勢。
主要參數(shù)
- FET 類型：P 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：最大 60V
- 連續(xù)漏極電流（Id）：最大 170mA（25°C）
- 導通電阻（Rds On）：最大 8Ω @ 170mA，10V
- 驅動電壓：4.5V，10V
- 柵極閾值電壓（Vgs(th)）：最大 2V @ 20μA
- 柵極電荷（Qg）：最大 1.5nC @ 10V
- 柵極-源極電壓（Vgs）：最大 ±20V
- 輸入電容（Ciss）：最大 19pF @ 25V
- 功率耗散：最大 360mW
- 工作溫度范圍：-55°C ~ 150°C
- 封裝類型：SOT-23-3
特性與優(yōu)勢
高電壓和電流額定值：BSS84PH6327XTSA2 能夠承受高達 60V 的漏源電壓以及 170mA 的連續(xù)漏極電流，使其適用于需要處理較大電壓和電流的電路，包括電源管理和功率轉換應用。
低導通電阻：在較高的柵極電壓（10V）下，該器件的導通電阻僅為 8Ω。這一點在開關應用中尤為重要，可以有效降低功耗，提高系統(tǒng)的整體效率。
高溫特性：BSS84PH6327XTSA2 能夠在 -55°C 至 150°C 的寬廣溫度范圍內穩(wěn)定工作，適應各種嚴苛環(huán)境。這使得它在航空航天、汽車及其他工業(yè)應用中的表現(xiàn)尤為突出。
緊湊的封裝設計：采用 SOT-23-3 封裝，有助于電路實現(xiàn)小型化設計，并且便于表面貼裝，提高組裝效率。
優(yōu)秀的開關特性：低柵極電荷（1.5nC）和低輸入電容（19pF）使得 BSS84PH6327XTSA2 在高頻率應用中具有快速開關能力。這一特性對于高效開關電源和開關模式電源轉換器（SMPS）尤為重要。
P 通道特性：作為 P 通道 MOSFET，BSS84PH6327XTSA2 可以用于反向電源切換和負載開關，提供了靈活的電路設計選擇。
應用場景
BSS84PH6327XTSA2 廣泛應用于多個電子設備和系統(tǒng)中，例如：
- 電源管理：在電源開關、穩(wěn)壓電源和電池管理系統(tǒng)中充當開關元素，控制電源的流動和分配。
- 開關電路：適合用于各種信號和電源切換應用，例如驅動繼電器、LED 燈或電機控制。
- 汽車電子：其高溫工作能力和優(yōu)良的電氣特性，適用于汽車內部的控制模塊、照明控制，以及其它汽車電子系統(tǒng)。
- 移動設備：由于其小型化封裝和高效特性，非常適合用于手機、平板電腦等便攜設備中的電源管理。
結論
總之，BSS84PH6327XTSA2 作為一款高性能的 P 通道 MOSFET，憑借其卓越的電氣性能、廣泛的應用范圍和可靠的工作特性，為工程師們提供了一個優(yōu)秀的選擇。無論是在電源管理、開關電路，還是在嚴苛環(huán)境下應用，BSS84PH6327XTSA2 都能夠滿足現(xiàn)代電子設計的需求，為系統(tǒng)的高效運作提供強有力的支持。