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GD5F1GQ5UEYIGR 產品實物圖片
GD5F1GQ5UEYIGR 產品實物圖片
注:圖像僅供參考,請參閱產品規格數據手冊

GD5F1GQ5UEYIGR

商品編碼: BM0061970049
品牌?:?
Gigadevice(北京兆易創新)
封裝?:?
WSON-8
包裝?:?
編帶
重量?:?
-
描述?:?
NAND FLASH 133MHz 10年 1Gbit 3.3V WSON-8-EP(6x8)
庫存 :
2997(起訂量1,增量1)
批次 :
24+
數量 :
X
7.85
按整 :
圓盤(1圓盤有3000個)
合計 :
¥0
梯度
內地(含稅)
香港
1+
¥7.85
--
100+
¥6.55
--
750+
¥6.07
--
1500+
¥5.77
--
30000+
產品參數
產品手冊
產品概述

GD5F1GQ5UEYIGR參數

商品分類NAND FLASH塊擦除時間(tBE)3ms
存儲容量1Gbit工作溫度-40℃~+85℃
工作電壓2.7V~3.6V接口類型SPI
數據保留 - TDR(年)10年時鐘頻率(fc)133MHz
頁寫入時間(Tprog)300us

GD5F1GQ5UEYIGR手冊

GD5F1GQ5UEYIGR概述

GD5F1GQ5UEYIGR 產品概述

概述

GD5F1GQ5UEYIGR 是由北京兆易創新(GigaDevice)生產的一款高性能 NAND Flash 存儲器。這款存儲器具有 1Gbit 的容量,工作頻率可達 133MHz,支持 3.3V 的電源電壓,并采用 WSON-8-EP 封裝格式(尺寸為 6mm x 8mm),適用于各種嵌入式應用及存儲解決方案。憑借其優越的性能和穩定性,GD5F1GQ5UEYIGR 被廣泛應用于消費電子、工業自動化、汽車電子及其他要求高可靠性和高耐久性的場景。

主要特性

  1. 存儲容量:GD5F1GQ5UEYIGR 提供 1Gbit 的存儲容量,適合存儲操作系統、應用程序及用戶數據等多種類型的數據。

  2. 工作頻率:支持高達 133MHz 的數據傳輸頻率,這使得其在數據讀取和寫入任務中能夠提供快速的響應時間和高效率的存取速度。

  3. 電源電壓:該 NAND Flash 模塊設計支持 3.3V 的電源供電,符合許多現代電子設備的設計需求,確保了低功耗以及適應性廣泛的應用。

  4. 封裝類型:采用 WSON-8-EP 封裝,其尺寸為 6mm x 8mm,具有較小的占用空間,利于PCB設計的緊湊性,同時其增強的熱性能亦有助于高頻率下的熱管理。

  5. 長壽命:產品設計具有 10 年的數據保持時間,確保在長時間未供電的情況下依然能保持數據的完整性,是適合長期應用場景的理想選擇。

應用場景

GD5F1GQ5UEYIGR 適用于多個行業的應用,包括但不限于:

  • 消費電子:如智能手機、平板電腦、智能穿戴設備等,通過其快速的數據存取能力,為用戶提供更流暢的操作體驗。

  • 工業自動化:在工業控制設備和監控系統中,該存儲器可以用于存儲實時數據、配置文件及程序代碼,以提升設備的可靠性和性能。

  • 汽車電子:隨著汽車智能化的發展,此類 NAND Flash 存儲器在車載AV系統、導航儀及駕駛輔助系統中,能夠承載多媒體數據和各種算法,提升駕駛的安全性和舒適性。

  • 物聯網設備:在智能家居、智能傳感器等物聯網應用中,低功耗和高性能的特性使得 GD5F1GQ5UEYIGR 成為理想的選擇,支持各種數據的快速存儲和傳輸。

技術優勢

  • 極佳的存儲性能:利用先進的 NAND Flash 技術,GD5F1GQ5UEYIGR 實現了更快的數據讀寫速度及更高的穩定性,使其在激烈的市場環境中具備競爭優勢。

  • 高可靠性和耐用性:其設計兼顧了長時間使用下的數據完整性和耐擦寫次數,確保可以在各種苛刻的環境中穩定工作。

  • 靈活性和可擴展性:WSON-8 封裝使其適用于多種電路設計需求,能夠靈活應用于多樣化的產品形態中。

結論

GD5F1GQ5UEYIGR 作為一款功能強大、性能卓越的 NAND Flash 存儲器,憑借其1Gbit 的存儲容量、133MHz 的高速傳輸、3.3V 的廣泛電源兼容性以及小巧的封裝設計,適合廣泛的電子應用需求。無論是在消費級產品還是工業級應用中,GD5F1GQ5UEYIGR 都展現出了卓越的性能和可靠性,是存儲解決方案中的理想選擇。