存儲器格式 | 閃存 | 存儲容量 | 4Mb (512K x 8) |
存儲器接口 | SPI - 四 I/O | 時鐘頻率 | 104MHz |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 工作溫度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
技術 | FLASH - NOR | 寫周期時間 - 字,頁 | 800μs |
存儲器類型 | 非易失 | 電壓 - 供電 | 2.3V ~ 3.6V |
隨著物聯網(IoT)和移動設備的迅猛發展,對高性能、低功耗存儲解決方案的需求不斷攀升。作為這個領域的重要組成部分,閃存技術,尤其是NOR閃存,憑借其高讀寫速度和非易失性,成為了嵌入式系統、消費電子和工業應用中廣泛采用的存儲方案。IS25LQ040B-JNLE-TR是一款由美國ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生產的高性能4Mb閃存器件,廣泛應用于各種市場的先進電子設備中。
存儲容量: IS25LQ040B-JNLE-TR提供4Mb的存儲容量(512K x 8),能滿足中等數據存儲需求,適合嵌入式系統和小型設備。
存儲器接口: 本器件采用SPI(串行外設接口)協議,具備四條輸入輸出(四I/O)通道。這種設計不僅提高了數據傳輸速率,還顯著降低了外部引腳數量,節省了PCB面積。
時鐘頻率: 該設備支持高達104MHz的時鐘頻率,能夠快速讀寫數據,特別適合對速度要求較高的應用。
工作溫度范圍: IS25LQ040B的工作溫度范圍為-40°C到105°C,確保其在嚴苛環境下的穩定運行,適合汽車、工業控制等應用場景。
電壓供電: 本器件的工作電壓為2.3V至3.6V,具有較低的功耗,能夠有效延長電池壽命,這是便攜式設備的重要考量。
技術特性: IS25LQ040B采用NOR閃存技術,具有快速的訪問時間和高可靠性,能夠在多次寫入和擦除后仍保持數據完整性。
寫周期與性能: 本器件的寫周期時間為800μs,表明其具有相對較快的編程速度,支持高頻率的寫操作,適用于需頻繁更新內容的應用。
封裝形式: IS25LQ040B-JNLE-TR采用8-SOIC封裝,適合表面貼裝技術(SMT),方便在現代電子設備生產中的大規模部署。
IS25LQ040B-JNLE-TR由于其卓越的性能及適用范圍,被廣泛應用于多個領域,包括但不限于:
IS25LQ040B-JNLE-TR是一款高效能、低功耗的4Mb NOR閃存解決方案,憑借其出色的電氣特性、耐環境性能以及高可靠性,適合于各種應用場合。無論是在工業、消費電子,還是汽車領域,IS25LQ040B都將為設計工程師提供極具靈活性和高性能的數據存儲選擇,推動傳統與新興技術的融合升級。