額定功率 | 225mW | 集電極電流Ic | 600mA |
集射極擊穿電壓Vce | 40V | 晶體管類型 | NPN |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 600mA | 電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 40V |
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值) | 1V @ 50mA,500mA | 電流 - 集電極截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V | 功率 - 最大值 | 225mW |
頻率 - 躍遷 | 300MHz | 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 | 封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商器件封裝 | SOT-23 |
MMBT2222ALT1G 是一款由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的高性能 NPN 晶體管,廣泛應用于低功耗信號放大和開關電路。其具有優良的電流增益特性和較高的頻率響應,使其成為現代電子設計中的理想選擇。該元器件特別適合用于放大器電路、開關電路、以及多種消費電子產品和工業應用中。
該晶體管的躍遷頻率達到了 300MHz,使其非常適合于高頻應用。在現代通信、信號處理和無線電子設備中,MMBT2222ALT1G 可以有效支持調制解調器、高頻開關電路等應用,確保信號的快速傳輸和響應。
MMBT2222ALT1G 具有廣泛的工作溫度范圍,最低可達 -55°C,最高可到 150°C(TJ),這使得該晶體管在嚴苛環境下仍能穩定工作,非常適合用于航空、航天以及各種工業控制系統中。
該元器件采用 SOT-23 表面貼裝封裝,具備小尺寸和輕量化的特點,使其特別適合在有限空間內的電子設計中使用。其緊湊的封裝樣式能夠有效減小 PCB 面積,提高設計的靈活性。
MMBT2222ALT1G 晶體管因其可靠性和性能,廣泛應用于多個領域,包括但不限于:
綜合以上特點,MMBT2222ALT1G 是一款功能強大、性能優越的 NPN 晶體管,適用于多種電子設計需求。在電流增益高、工作溫度范圍寬和小型化封裝方面的優勢使其成為電子工程師在進行電路設計時的理想選擇。無論是在消費電子、工業設備還是通信產品中,MMBT2222ALT1G 都能夠保障系統的穩定性和高效性。