IRF540NPBF
品牌?:?
Infineon(英飛凌)
封裝?:?
TO-220AB
包裝?:?
管裝
重量?:?
2.64g
描述?:?
場效應管(MOSFET) 130W 100V 33A 1個N溝道 TO-220AB
庫存 :
40156(起訂量1,增量1)
批次 :
2年內數量 :
X
1.4按整 :
管(1管有1000個)
合計 :
￥0梯度
內地(含稅)
香港
1+
￥1.4
--
50+
￥1.08
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1000+
￥0.899
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20000+
產品參數
產品手冊
產品概述
IRF540NPBF參數
| FET配置（電路類型） | N溝道 | 漏源擊穿電壓V(BR)dss | 100V |
| 漏極電流（Id, 連續） | 33A（Tc） | 導通電阻 Rds（on） | 44毫歐 |
| 閾值電壓Vgs(th) | 4V@250μA | 最大耗散功率 | 130W |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 | FET 類型 | N 通道 |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | 漏源電壓（Vdss） | 100V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 33A（Tc） | 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 44 毫歐 @ 16A，10V | 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值） | 71nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 1960pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安裝類型 | 通孔 |
| 供應商器件封裝 | TO-220AB |
IRF540NPBF手冊
IRF540NPBF概述
產品概述：IRF540NPBF N溝道MOSFET
概述
IRF540NPBF是一款高性能的N溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），廣泛應用于電源轉換、工業驅動和電機控制等領域。該器件支持高電壓和大電流的操作，具有優良的熱穩定性和開關特性，因而適用于需要高效率和高可靠性的應用場景。
電氣特性
IRF540NPBF提供以下關鍵電氣參數：
- 漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：該器件具有最佳的漏源擊穿電壓為100V，確保其在高壓環境下的穩定工作。
- 連續漏極電流 (Id)：在額定的工作溫度條件下（Tc），IRF540NPBF支持最大連續漏極電流為33A，使其能夠處理較大的功率負載。
- 導通電阻 (Rds(on))：當通過該MOSFET的電流達到16A并在10V的驅動電壓下，導通電阻為44毫歐，這意味著在導通狀態下能量損耗極低，提高系統整體效率。
- 閾值電壓 (Vgs(th))：該器件的閾值電壓為4V@250μA，表明MOSFET在此電壓下可以被激活，適合多種邏輯電平驅動應用。
功率特性
IRF540NPBF的功耗特性如下：
- 最大耗散功率：可達到130W，這使得該器件適合在高功率環境下使用，可以有效地傳導和消耗產生的熱量。
- 工作溫度范圍：該MOSFET的工作溫度范圍為-55°C至175°C，顯示出其優異的熱穩定性，適合在極端環境下工作。
結構與封裝
IRF540NPBF采用TO-220AB封裝，其結構設計便于散熱和裝配。通孔式安裝方式使該器件易于集成入各種電路板，適合要求較高的工業和消費類電子應用。
驅動特性
- 驅動電壓：適宜的驅動電壓一般為10V，這樣可以確保MOSFET在導通狀態下的Rds(on)表現最佳。
- 柵極電荷 (Qg)：該器件的柵極電荷為71nC@10V，意味著在開關操作時可以較快地充電和放電，從而減少開關損耗，提高開關頻率性能。
應用領域
由于其優異的電氣性能和熱特性，IRF540NPBF廣泛應用于以下領域：
- 電源管理：用于直流-直流轉換器、開關電源和不間斷電源（UPS）系統中，以提高轉換效率。
- 電機控制：在直流電機驅動和步進電機控制中，該MOSFET提供了高功率和高效率的驅動解決方案。
- 汽車應用：適用于車載電子設備和電動汽車的動力控制系統。
- 消費電子：用于家庭電器、充電器和各類電子產品的電源管理。
總結
IRF540NPBF是一款性能卓越的N溝道MOSFET，具有高電壓、高電流和高功率能力，能夠滿足現代電子系統的嚴苛要求。其優良的熱管理、導通效率及支持廣泛的應用環境，令其在許多高性能電源和驅動系統中成為理想選擇。無論是工業應用還是消費電子，IRF540NPBF都能提供穩定可靠的性能支持，是電子設計工程師值得信賴的元器件之一。