功率(Pd) | 227W | 商品分類 | 場效應管(MOSFET) |
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V,50A | 漏源電壓(Vdss) | 100V |
類型 | 1個N溝道 | 連續漏極電流(Id) | 120A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
產品名稱: CRSS042N10N
類型: N溝道場效應管 (MOSFET)
品牌: CRMICRO(華潤微)
封裝方式: D2PAK (TO-263)
額定功率: 227W
最大漏極電壓: 100V
最大漏極電流: 120A
場效應管(MOSFET)因其在開關電源、直流-直流轉換器、電機驅動等應用中具有出色的性能而廣泛應用。CRSS042N10N是由華潤微技術公司生產的一款高性能N溝道MOSFET,設計用于能夠承載高電壓和電流的應用場景,適合于要求較高的電流處理能力并具備較低導通電阻的電子設備。
CRSS042N10N使用D2PAK (TO-263)封裝,這種封裝形式不僅緊湊,而且能夠提供良好的散熱性能。良好的散熱設計能夠有效防止MOSFET在工作時因過熱而損壞,確保長時間穩定運行。同時,TO-263封裝還支持多種焊接方式,適合自動化生產線的使用,提高了生產效率。
CRSS042N10N適合多個不同的應用領域,包括但不限于:
CRSS042N10N的設計考慮了多種電氣特性與環境因素,確保其在多種工作條件下的可靠性。在實際應用中,依靠其高效率和低損耗的特性,該MOSFET可以降低整體系統的工作溫度,從而延長設備的使用壽命。此外,器件也經過嚴格的質量控制程序,確保其性能在整個產品生命周期內的一致性。
綜上所述,CRSS042N10N N溝道MOSFET憑借其高功率、高電流和高耐壓特性,結合良好的散熱能力與可靠的性能,成為現代電子工程領域中不可或缺的重要元件。無論是在電源管理、電機驅動、逆變器還是LED驅動等應用中,CRSS042N10N都能夠提供優越的解決方案,是設計師在選擇MOSFET時值得考慮的優秀組件。通過合理的電路設計和高效的熱管理策略,可以充分發揮CRSS042N10N的優勢,為多種應用提供穩定可靠的支持。