功率(Pd) | 1.4W | 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 63pF@30V |
商品分類 | 場效應管(MOSFET) | 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@4.5V,3A |
工作溫度 | -55℃~+150℃ | 柵極電荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
漏源電壓(Vdss) | 60V | 類型 | 1個P溝道 |
輸入電容(Ciss@Vds) | 831pF@30V | 連續漏極電流(Id) | 4A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
HSS4P06是一款高性能的P溝道場效應管(MOSFET),其額定功率為1.4W,工作電壓高達60V,最大電流可達4A。這款MOSFET適用于多種電子產品及電路設計,具有優秀的開關特性和較低的導通電阻。HSS4P06采用SOT-23封裝,體積小巧,便于在空間有限的應用場景中使用。
HSS4P06由于其優良的電氣性能和小型化設計,在多個領域擁有廣泛的應用潛力,包括但不限于:
總體而言,HSS4P06是一款兼具高性能和小封裝優勢的P溝道MOSFET,適合用于多種應用場合,尤其是在對效率要求嚴格的電子設備中。憑借其高達60V的工作電壓、4A的額定電流以及優異的開關性能,HSS4P06為工程師提供了無與倫比的設計靈活性,是現代電子設計中不可或缺的基礎元件之一。隨著電子產品日益向小型化和高性能邁進,HSS4P06將會在市場中占據更加重要的地位。